[发明专利]半导体结构及半导体结构制作方法

说明书

本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。该半导体结构的基底上设置有芯片结构和密封结构，密封结构包括金属墙体和位于金属墙体顶部的阻挡墙体，金属墙体和阻挡墙体均环绕芯片结构设置。在晶圆切割的过程中，阻挡墙体可以阻止切割产生的裂纹在金属墙体背离基底一侧的层间介质层内向芯片结构延伸，进而避免芯片结构失效。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。

背景技术

制作在晶圆上的芯片需要切割封装后才能运用在电子设备中，在晶圆的切割过程中容易产生裂纹，并且裂纹容易向芯片内部延伸，容易造成芯片失效。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构制作方法，以解决在晶圆的切割程中产生的裂纹向芯片结构延伸，容易造成芯片结构失效的技术问题。

本发明实施例提供了一种半导体结构包括：基底以及位于所述基底上的芯片结构和密封结构；所述密封结构包括金属墙体和位于所述金属墙体顶部的阻挡墙体；其中，所述金属墙体和所述阻挡墙体均环绕所述芯片结构设置。

可选的，多个所述阻挡墙体环绕所述芯片结构间隔的设置。

可选的，所述多个阻挡墙体均位于所述金属墙体的顶部。

可选的，还包括：密封层，位于所述密封结构背离所述基底的一侧。

可选的，所述阻挡墙体与所述密封层为一体结构。

可选的，所述阻挡墙体的材质为绝缘材料。

可选的，所述阻挡墙体覆盖所述金属墙体的部分顶面。

可选的，所述金属墙体包括沿垂直于所述基底方向依次层叠设置的多个子墙体，相邻所述子墙体在所述基底上的投影至少部分重合。

可选的，每一所述子墙体与所述芯片结构中的金属层同层设置。

可选的，位于所述密封结构之间的切割道，所述阻挡墙体上方的密封层顶表面高于所述切割道上方的密封层顶表面。

本发明实施例还提供一种半导体结构制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成芯片结构和密封结构，

所述密封结构包括金属墙体和位于所述金属墙体顶部的阻挡墙体；

其中，所述金属墙体和所述阻挡墙体均环绕所述芯片结构设置。

可选的，所述在所述基底上形成芯片结构和密封结构的步骤，包括：

在所述基底上依次形成若干子层间介质层、顶层介质层以及顶层金属层，其中，若干子墙体分别位于所述子层间介质层和顶层介质层中；

去除部分所述顶层金属层以形成与所述子墙体接合的金属块；

在所述金属块上形成覆盖层；

在所述覆盖层上形成具有开口的光刻胶层，所述开口位于所述子墙体上方；

以所述光刻胶层为掩膜蚀刻所述覆盖层，以形成暴露所述子墙体上方的所述金属块的阻挡槽；

在所述阻挡槽中填充阻挡材料形成所述阻挡墙体。

可选的，还包括：所述覆盖层上还形成有密封材料，部分所述密封材料填充在所述阻挡槽内，以形成所述阻挡墙体，部分所述密封材料覆盖在所述覆盖层上以形成密封层。

可选的，还包括：位于所述密封结构之间的切割道，所述阻挡墙体上方的密封层顶表面高于所述切割道上方的密封层顶表面。