[发明专利]一种精馏法去除一氧化碳的氩气回收装置及操作方法在审
申请号: | 202110222165.3 | 申请日: | 2021-02-28 |
公开(公告)号: | CN113028737A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 葛亮 | 申请(专利权)人: | 上海迎飞气体有限公司 |
主分类号: | F25J3/02 | 分类号: | F25J3/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201303 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 精馏 去除 一氧化碳 回收 装置 操作方法 | ||
本发明公开的属于氩气回收技术领域,具体为一种精馏法去除一氧化碳的氩气回收装置及操作方法,该该氩气回收装置包括氩气压缩机、除氧反应炉、冷却器、氩气预冷纯化系统和精馏冷箱,所述精馏冷箱内安装有换热器、氩塔再沸器、精氩塔、粗液氩节流阀V2、纯液氩节流阀、循环液氩节流阀V5和氩塔冷凝蒸发器,本发明的优势是利用回收现场会有液氩提供的便利,用液氩提供冷量;利用水电解制氢产生的氢气去除混入的氧气,再利用低温精馏法脱除氮气、一氧化碳,和过量的氢气,其最大优势在于既省下了除一氧化碳设备,又大大提高了原料气对氧含量的容忍度,提高了氩气的回收率,简化了低温精馏的流程和操作,降低了运行能耗。
技术领域
本发明涉及氩气回收技术领域,具体为一种精馏法去除一氧化碳的氩气回收装置及操作方法。
背景技术
直拉法(Czochralski method)是生产单晶硅的主要方法,全球70%~80%的单晶硅通过直拉法生产。最常用的直拉法生产单晶硅工艺是采用即像真空工艺又像流动气氛工艺的减压拉晶工艺;减压工艺是在硅单晶拉制过程中,连续等速地向单晶炉炉膛内通入高纯度氩气,同时真空泵不断地从炉膛向外抽送氩气,保持炉膛内真空度稳定在20托左右,这种工艺既有真空工艺的特点,又有流动气氛工艺的特点。减压拉晶工艺的真空泵一般采用滑阀泵,滑阀泵是用油来保持密封的机械真空泵。氩气携带单晶拉制过程中由于高温而产生的硅氧化物和杂质挥发物,并通过真空泵的抽送排放到大气。
通过对排放氩气的分析,主要杂质成分为,氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、甲烷等烷烃,液态润滑油雾;回收利用这部分氩气有很大现实意义。
氩气回收纯化的公知技术:对来自单晶炉回收的氩气进行粗除油,再经压缩冷却后高精度除油除尘;接着通过高温催化使甲烷等烃类和一氧化碳同氧气反应生产水和二氧化碳,催化反应中保证氧气过量(杂质氧气不够则加入氧气);通过冷却后在催化剂作用下使过量氧气同加入的氢气反应生成水,并保证反应氢气过量,处理后氩气中杂质成分为水、二氧化碳、氢气和氮气;最后经过氩气常温吸附单元吸附水和二氧化碳,得到只含有氮气和氢气为杂质的粗氩气。氩气常温吸附单元由二个吸附器组成,吸附器中装有吸附水和二氧化碳的吸附剂,一个吸附器进行吸附工作,另一个吸附器进行包括泄压、加温、吹冷的再生工作。所述再生工作的气体使用氮气,该再生氮气来自冷箱中低温精馏塔生产或外购,氩气常温吸附单元通过时间程序控制器自动控制运行切换。
专利《单晶硅生产中氩气回收纯化的方法与装置》(申请号:201210078306.x)中,低温精馏部分使用空气循环制冷,能耗高,流程复杂,加入的过量氢气放空,利用率低。
专利《一种双塔耦合的氩气回收纯化设备及氩气回收纯化方法》(申请号:201410618341.5)中,用空气压缩,双塔流程,能耗无优势,结构复杂,增加设备投资。
专利《一种单塔低温精馏回收氩气的装置》(申请号:201621146690.2)中,为保持冷箱提供的外界液氩量较大,以及受再生气限制,提取率比较低。专利设计以加氢方式来除氧,危险性较大。
专利《一种提高氩气回收率的装置及方法》(申请公布号:CN 108645118 A)中,带低温运动部件,稳定性较差。
专利《一种集成高纯氮和氩气回收的方法及装置》(申请公布号:CN 109631495 A)中,使用正流膨胀流程,带低温运动部件,稳定性较差。适用于氩气常压出塔情况,不适用于氩气带压力出塔。
发明内容
本部分的目的在于概述本发明的实施方式的一些方面以及简要介绍一些较佳实施方式。在本部分以及本申请的说明书摘要和发明名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和发明名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本发明的范围。
鉴于上述和/或现有氩气回收方法中存在的问题,提出了本发明。
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