[发明专利]一种半导体工件激光切割方法

权利要求书

1.一种半导体工件激光切割方法，包括以下步骤：

(1)将板状的半导体工件进行预热，然后加持于工件固定部上，其中，所述工件固定部设置于倾角治具的倾斜面上，所述半导体工件的表面平行于倾斜面，且所述倾斜面相对于水平面的倾斜角为A；

(2)利用激光器发射激光进行烧蚀所述半导体工件，所述激光的入射角度为竖直方向；

(3)继续烧蚀所述半导体工件，以使得所述半导体工件切割为两部分，其第一部分的切割面为垂直侧面，而第二部分的切割面为90°-2A的倾斜侧面；

(4)旋转所述倾斜治具180度，以使得第二部分相对于原位置沿着竖直方向对称设置；

(5)利用所述激光烧蚀切割掉所述第二部分的末端处，以使得所述第二部分的露出侧面形成为切割面为垂直侧面的形态。

2.根据权利要求1所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：在步骤(5)之后，还进一步包括步骤(6)：再次旋转所述倾斜治具180度，以使得第二部分相对于上一位置沿着竖直方向对称设置；利用激光器发射激光进行烧蚀所述半导体工件，所述激光的入射角度竖直方向；继续烧蚀所述第二部分，以使得所述第二部分为两部分，其第三部分的切割面为垂直侧面，而第四部分的切割面为90°-2A的倾斜侧面。

3.根据权利要求1所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：所述倾斜治具为楔形结构，其底面呈水平放置，且所述倾斜治具内包括气体腔，所述倾斜面上具有多个喷射孔，多个气体喷射孔连通所述气体腔。

4.根据权利要求3所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：所述气体腔连接气体输入部，以使得激光切割时，所述多个气体喷射孔朝向所述半导体工件喷射气体。

5.根据权利要求4所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：多个气体喷射孔的喷射气体方向垂直于半导体工件的底面。

6.根据权利要求5所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：所述气体的温度为50-100℃。

7.根据权利要求6所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：所述多个气体喷射孔的开口尺寸沿着所述倾斜面的爬坡方向逐渐较小。

8.根据权利要求1所述的半导体工件激光切割方法，其特征在于：所述半导体工件为硅晶圆。