[发明专利]一种铟基卤化物钙钛矿纳米晶及其制备方法

权利要求书

1.一种铟基卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将Cs前驱体及InX₃前驱体在氮气保护下进行混合，在130-140℃进行合成，合成时间为10-60s，或者在≥120℃且130℃进行合成，合成时间为30-60s，取出冰水降温，得到Cs₃InX₆纳米晶原液；

(2)用有机溶剂对Cs₃InX₆纳米晶原液进行离心清洗，将最终得到的沉淀物Cs₃InX₆纳米晶并重新分散在有机溶剂中保存；所述Cs₃InX₆纳米晶为空心结构；

步骤(1)中，InX₃前驱体与Cs前驱体的体积比为10-15：1；

步骤(1)中，Cs前驱体的制备方法如下：将Cs₂CO₃、油酸及十八烯混合，并升温至100-120℃真空保温1-2h，然后升温至140-150℃直至Cs₂CO₃完全溶解，得Cs前驱体；

步骤(1)中，InX₃前驱体的制备方法如下：将InX₃、十八烯、油酸及油胺混合，升温至100-120℃真空保温1.5-2h，直至InX₃完全溶解，得InX₃前驱体。

2.根据权利要求1所述的一种铟基卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，将0.14g Cs₂CO₃、1-5ml油酸及12-60ml十八烯混合。

3.根据权利要求1所述的一种铟基卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，将0.2mmol InX₃、3-10ml十八烯、0.3-1ml油酸及0.3-1ml油胺混合。

4.一种采用权利要求1-3任意一项所述制备方法制备的铟基卤化物钙钛矿纳米晶，其特征在于：所述铟基卤化物钙钛矿纳米晶为Cs₃InX₆纳米晶，X＝Cl、Br或I。

5.根据权利要求4所述的一种铟基卤化物钙钛矿纳米晶，其特征在于：所述Cs₃InX₆纳米晶为立方相零维钙钛矿单晶材料。