[发明专利]一种半导体大功率器件封装设备的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110218359.6 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN112768368A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 黄澄珵;黄新生 申请(专利权)人: 艾极倍特(上海)半导体设备有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201400 上海市奉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 大功率 器件 封装 设备 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体大功率器件封装设备的制造方法,其特征在于:包括以下方法;

S1:首先由多个分割区域形成区的半导体芯片的隔室已经在半导体晶片中的二级管元件(半导体元件,以形成一个);

S2:然后在每个半导体芯片形成区域中形成该二极管元件,随后,沿着分割区域分割半导体晶片;

S3:然后在分割后的各个半导体芯片中所包含的二极管元件的正极和负极的每一个形成在颗粒的主表面侧上形成的正面电机或背面侧上,把电连接到任一背面电极;

S4:然后通过与阴极侧和两个阳极侧引线成对而形成CU或者FE、NI,使用由AU形成的导线将另一条引线与表面电极电连接;

S5:然后粒料和引线模制树脂在密封;

S6:然后在这样形成之后的模制树脂根性识别标记和产品识别标记的表面上;

S7:然后制备具有压花孔的载带,并将二极管封装件容纳在该孔中;在用盖带封装打孔之后,将载带缠绕在带盘上;

S8:然后通过从盖带上观察孔中的二极管封装同时将拉出缠绕在带盘上的载带来检查二极管封装的外观;

S9:然后在其中没有二极管封装有缺陷的部分被发现通过此外观检查可以发出此物;

S10:最后进行目视检查后,可以将载带缠绕在空的编带轴上,以获得运输形式。

2.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法,其特征在于:两个所述阳极侧引线具有在颗粒部电极下方制备的引线框架,且粘合在引线之一上。

3.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法,其特征在于:所述引线框架切下引线,且制造树脂密封的二极管封装。

4.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法,其特征在于:其中一个所述二极管封装被容纳在一个孔中。

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