[发明专利]一种芯片温度控制系统及其芯片温度控制装置

权利要求书

1.一种芯片温度控制装置，其特征在于，包括：离心式微流控芯片(1)、加热装置(2)、用于驱动所述离心式微流控芯片(1)的反应池靠近或远离所述加热装置(2)的驱动装置(3)、用于检测所述反应池内的液体的温度的测温装置(4)以及温控装置，所述加热装置(2)可穿透所述离心式微流控芯片(1)的壳体、以直接加热所述液体，所述加热装置(2)和所述测温装置(4)均与所述温控装置连接。

2.根据权利要求1所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述驱动装置(3)包括用于轴向固定所述离心式微流控芯片(1)的固定装置(31)和用于驱动所述离心式微流控芯片(1)转动的电机(32)，所述离心式微流控芯片(1)套设于所述电机(32)的输出轴的外周部，所述加热装置(2)和所述测温装置(4)均设于所述固定装置(31)上。

3.根据权利要求2所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述加热装置(2)为红外聚焦加热器。

4.根据权利要求3所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述红外聚焦加热器的工作光为波数范围在3600cm^-1-2800cm^-1或1000cm^-1-1800cm^-1内的单一波长或多个所述波长的组合。

5.根据权利要求3所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述测温装置(4)为红外温度传感器。

6.根据权利要求5所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述固定装置(31)包括用于固定所述红外聚焦加热器和所述红外温度传感器的镂空部(5)。

7.根据权利要求6所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述红外聚焦加热器与所述离心式微流控芯片(1)的中心处的间距等于所述红外温度传感器与所述中心处的间距，且所述红外聚焦加热器和所述红外温度传感器的位置不重叠。

8.根据权利要求7所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述红外聚焦加热器和所述红外温度传感器的角度间隔大于10°。

9.根据权利要求1至8任一项所述的芯片温度控制装置，其特征在于，所述温控装置通过温度控制算法对所述液体进行温控操作，所述温度控制算法为PID算法、模糊PID算法或神经网络控制算法。

10.一种芯片温度控制系统，其特征在于，包括温度控制装置和主控装置，所述温度控制装置为上述权利要求1至9任一项所述的芯片温度控制装置，所述驱动装置(3)和所述温控装置均与所述主控装置连接。