[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202110216169.0 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113394251A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 洪正武;全相炫;方景楠;李圣俊 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.显示装置，包括：
晶体管；
发光元件，设置在所述晶体管上，所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层；
数据线，与所述发光元件间隔开；以及
屏蔽电极，与所述第一电极设置在相同水平处，其中，当在平面图中观察时，所述屏蔽电极与所述数据线重叠并且沿着所述数据线延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在所述平面图中观察时，所述屏蔽电极的宽度与所述数据线的宽度相同或大于所述数据线的所述宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，当在所述平面图中观察时，所述屏蔽电极设置到与所述数据线的边缘相邻的位置。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，当在所述平面图中观察时，所述屏蔽电极设置到与所述第一电极相邻的位置。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，当在所述平面图中观察时，所述屏蔽电极设置成围绕所述第一电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述发光元件上方的感测部分，
其中，所述屏蔽电极设置在所述感测部分与所述数据线之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括设置在所述晶体管与所述发光元件之间的连接电极，所述连接电极将所述晶体管连接到所述第一电极，
其中，所述连接电极包括：
第一连接电极，位于所述晶体管上并且连接到所述晶体管；以及
第二连接电极，设置在所述第一连接电极与所述第一电极之间，所述第二连接电极连接到所述第一连接电极和所述第一电极，以及
其中，所述数据线设置在与所述第二连接电极的水平相同的水平处。
8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：
第一电力线，接收施加到所述第一电极的第一电压；以及
第二电力线，接收施加到所述第二电极的第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，
其中，所述第一电力线设置在与所述第一连接电极的水平相同的水平处。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极连接到所述第二电力线以及所述第二电极。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述屏蔽电极连接到所述第一电力线，以及
其中，
所述发光元件设置成多个，
所述屏蔽电极设置成多个，以及
多个所述屏蔽电极设置到与多个所述发光元件的所述第一电极相邻的位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
