[发明专利]一种超低功耗数字温度传感器有效
申请号: | 202110215720.X | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN112865789B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 王子轩;殷允金;戴家豪;蔡志匡;郭宇锋;刘璐 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099;G01K7/22 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 沈丹 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 数字 温度传感器 | ||
1.一种超低功耗数字温度传感器,其特征在于:包括环形振荡器、采样元件、占空比控制器和计数器;所述环形振荡器的输出端连接计数器的时钟输入端;所述采样元件的输出端连接占空比控制器的输入端;所述占空比控制器的一个输出端连接计数器的复位输入端,占空比控制器的另一个输出端连接采样元件的复位输入端;
所述采样元件的第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管的源极共同接电源VDD;所述第一、第二、第三PMOS晶体管的栅极相连接后,与第一自偏置放大器的输出端相连接;
所述第一PMOS晶体管的漏极分别与第一自偏置放大器AMP的正向输入端、可变电阻阵列的一端连接;
所述采样元件还包括第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的漏极和栅极相连接后,与第二PMOS晶体管的漏极相连接;所述第二NMOS晶体管的源极接地;第二NMOS晶体管的栅极接偏置电压;
所述第三PMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的漏极、第一电容的上极板、第一比较器COMP的正向输入端连接;所述采样元件的复位输入端与第三NMOS晶体管的栅极连接;所述第一比较器COMP的输出端为采样元件的输出端。
2.根据权利要求1所述的超低功耗数字温度传感器,其特征在于:所述环形振荡器包括首尾相连的第一反相器、第二反相器和第三反相器,且第三反相器的输出端连接第一反相器的输入端,构成环形连接;
还包括第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极接电源;第一NMOS晶体管的源极、漏极和衬底相连接后,再与三个反相器的电源端连接。
3.根据权利要求1所述的超低功耗数字温度传感器,其特征在于:所述可变电阻阵列包括多组结构相同的晶体管单元,且彼此相互并联。
4.根据权利要求3所述的超低功耗数字温度传感器,其特征在于:所述晶体管单元包括第四PMOS晶体管和第四反相器,第四PMOS晶体管的源极、漏极和衬底相连接后,再与第四反相器的输出端连接。
5.根据权利要求4所述的超低功耗数字温度传感器,其特征在于:所述第四PMOS晶体管的栅极与可变电阻阵列的输出端连接。
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