[发明专利]一种基于耗尽管的高压充电管理芯片

权利要求书

1.一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，所述高压充电管理芯片由稳压电路、检测控制电路以及耗尽型高压器件组成，其特征在于：

所述稳压电路连接外部电压输入端，对所述外部电压进行转换后，作为所述检测控制电路的输入电压；

所述检测控制电路连接电池充电端，用于检测充电电流/电压，并控制充电过程；

所述耗尽型高压器件由一个横向扩散的耗尽型N型MOS管和一个二极管组成；

所述横向扩散的耗尽型N型MOS管的衬底通过所述二极管接地；

所述耗尽型高压器件连接所述稳压电路以及所述检测控制电路，具体包括：

所述横向扩散的耗尽型N型MOS管的栅极连接所述检测控制电路；

所述横向扩散的耗尽型N型MOS管的漏极连接所述稳压电路；

所述稳压电路包括基准电路、偏置电路以及线性稳压电路；

所述基准电路包括带隙基准电压源电路以及对称电流镜；

所述偏置电路包括偏置电压源以及偏置可调模块；

所述线性稳压电路与所述基准电路和所述偏置电路连接；

所述基准电路的所述带隙基准电压源电路包括启动电路和亚阈电流产生电路；

所述启动电路连接外部电压输入端；

所述亚阈电流产生电路与所述对称电流镜连接；

所述偏置可调模块包括第一PMOS管M11、第三PMOS管M13、第五PMOS管M15、第二NMOS管M12、第四NMOS管M14以及可变电容C和可变电阻R；其中，M11和M12通过栅极对接，M13和M14通过栅极对接；

M13、M11和M15的源极连接，并共同连接至可变电容C的第一端；

M15的漏极连接至可变电容C的第二端；

所述可变电容的第二端与所述可变电阻的第一端连接；

M14的源极连接至所述可变电容的第一端，并连接至所述启动电路。

2.如权利要求1所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述检测控制电路与所述偏置电路的偏置可调模块连接；

基于所述检测控制电路检测到的所述充电电流/电压，配置所述偏置可调模块的偏置参数，基于所述偏置参数控制所述偏置电压源。

3.如权利要求2所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述检测控制电路包括第一比较器、第二比较器以及第三比较器；

所述第一比较器、第二比较器以及第三比较器的输出端均连接至同一个逻辑控制电路。

4.如权利要求3所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述第一比较器、第二比较器以及第三比较器的正向输入端共同连接至热敏电阻；

所述第一比较器、第二比较器以及第三比较器的各自的反向输入端通过不同的分压电阻接收输入电压。

5.如权利要求4所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述高压充电管理芯片不包含电荷泵。

6.如权利要求5所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述亚阈电流产生电路包括两个PMOS管构成的电流镜电路，产生亚阈工作电流。

7.如权利要求6所述的一种基于耗尽管的高压充电管理芯片，其特征在于：

所述外部电压输入端为USB接口。