[发明专利]一种三嗪衍生物和含其的有机光电元件及其应用

说明书

本发明提供了一种三嗪衍生物和含有该化合物的有机光电元件及其应用。所述的三嗪衍生物如化学式I所示：其中，化学式I中的R1选自式A表示的结构，式A中*表示L1与化学式I相连的位置；特别地，R5选自F或CN，其他详细信息可以通过本文提供的具体描述进行理解。本发明获得了一种电子注入和传输性能优异的有机化合物，该有机化合物可用于有机电致发光元件中的发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层等，可提升器件的效率，降低操作电压，延长使用寿命使含有该化合物的高效率器件可在显示、照明、背光源等领域进行应用，具有商业化的应用前景。

技术领域

本发明属于有机光电领域，具体涉及一种三嗪衍生合物及包含其的有机光电元件，特别是有机电致发光二极管及它们的应用。

背景技术

有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emission Diodes)有视角广阔、响应速度快、色彩质量高、可实现柔性发光等优点，具有广阔的应用前景。一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。常见的OLED器件通常包括以下种类的有机材料：空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料，以及各色的发光材料(染料或者掺杂客体材料)和相应的主体材料等。

尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，比如外量子效率(EQE)的提高，色纯度更高的新材料的设计与合成、高效电子传输/空穴阻挡新材料的设计与合成等。对于有机电致发光器件来说，器件的发光量子效率是各种因素的综合反映，也是衡量器件品质的一个重要指标。一般来说，造成器件效率低的一个主要原因，是由发光材料的电荷注入与传输不平衡引起的。同时，这种不平衡也严重地影响器件的稳定性，使电流将作无效的(不发光)流动，进一步使器件达不到实用化的要求。

通常，空穴传输材料的电子迁移速率比电子传输材料的电子迁移速率高出两个数量级，为使电子和空穴在发光层很好的复合形成激子并发光，在制备有机二极管发光器件中采用空穴阻挡层阻止空穴到达电子传输层。空穴阻挡材料应具有较低的HOMO能级，更高的电子迁移速率，更高的三线态能级及较高的氧化电位和较宽的带隙，以提高其电子的传输能力及空穴和激子的阻挡能力，使激子限制在发光层中，减少光能量的损失，大大提高了器件效率。因而，设计发展三重态能级匹配的空穴阻挡材料(Hole-blocking layer,HBL)或电子传输材料具有重要意义。一方面增加电子与空穴在发光层中复合几率，减少光能量的损失，提高器件效率。

本发明的有机化合物具有较高的电子传输性能，使激子复合和能量传递更加充分；电子和空穴的传递更加平衡，器件的效率提高，电压降低，使用寿命延长。

发明内容

本发明提供一种有机化合物，其结构式如

化学式I如下所示：

在化学式I中，R1选自式A表示的结构；在式A中*表示L1与化学式I相连的位置；X为O、S、N-R4的一种；L1独立地选自单键、取代或未取代的C6-C20的亚芳基、取代或未取代的C2-C20杂环基、或它们的组合；R5选自F或CN；R2至R4、Ar1独立地选自氢、氘、CN、卤素、取代或未取代的C1～C60的烷基、取代或未取代的C1～C60的烷氧基、取代或未取代的C1～C60的环烷基、取代或未取代的C1～C60的杂烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C1～C60的杂芳基、取代或未取代的C1～C60的硅基、取代或未取代的C6～C60的芳族稠环、取代或未取代的C1～C60的杂芳族稠环中的一种；R2、R3也可独立选自式A表示的结构；R2至R4和Ar1各自独立地可被部分或全部氘代、或各自独立地可被部分或全氟代；n独立地为1至3的整数。

优选地，式A独立选自以下代表结构的一种，但不代表限于此：

Ar1和LL1与上述的定义相同。