[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110210079.0 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112909098A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张园览;张清纯 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：
半导体衬底层；
位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；
位于部分所述第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；
位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二漂移区的掺杂浓度为所述第一漂移区的掺杂浓度的2倍～100倍。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第二漂移区的厚度与所述第一漂移区的厚度的比值为1/100～1/10。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的掺杂浓度小于所述主掺杂层的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的掺杂浓度为所述主掺杂层的掺杂浓度的5％～80％。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的表面面积为所述主掺杂层的表面面积的5％～40％。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的纵向尺寸为所述第二漂移区的纵向尺寸的1/10倍～2倍。
8.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的中心分别至相邻的主掺杂层的中心之间的间距相等。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的表面形状与所述主掺杂层的表面形状相同。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述副掺杂层的表面形状包括圆形、正方形、矩形或六边形；所述主掺杂层的表面形状包括圆形、正方形、矩形或六边形。
11.一种如权利要求1至10任意一项所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底层；
在所述半导体衬底层上形成漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；
在部分所述第二漂移区中形成副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；
在所述漂移层中形成若干主掺杂层，若干主掺杂层围绕所述副掺杂层间隔分布，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
12.根据权利要求11所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，形成所述副掺杂层的工艺包括离子注入工艺。
13.根据权利要求11所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，形成所述漂移层的方法包括：在所述半导体衬底层上形成初始漂移层；对部分厚度的所述初始漂移层进行离子注入，使得初始漂移层形成所述漂移层。
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