[发明专利]揭膜方法

说明书

本发明涉及一种揭膜方法，包括：提供贴附了保护胶带的基底，基底的边缘形成有缺口，保护胶带与缺口完全重合；将揭膜胶带以非热压合的方式压合在保护胶带上；利用剥膜机构从缺口位置开始起撕揭膜胶带，将保护胶带从基底上移除。本发明在不加热和无辅助装置的情况下，成功地将保护胶带从基底上移除，便于选择材质较软的保护胶带来保护基底，避免基底加工过程中受损的风险，确保产品质量，降低揭膜成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种揭膜方法。

背景技术

在半导体器件制造过程中，在晶圆(wafer)的功能面上形成众多半导体器件之后，进行晶圆背面研磨工艺(Back Grinding tape，简称BG)，采用平坦化工艺研磨晶圆与功能面对应的背面去除部分厚度的晶圆，以减小后续形成的芯片厚度。在研磨晶圆背面的过程中，会先在晶圆的功能面上覆盖一层保护胶带(BG tape)，以避免在研磨晶圆背面过程中产生的杂质造成晶圆功能面污染，以及避免晶圆功能面直接与研磨设备接触而造成晶圆功能面受损，进而降低形成的芯片质量。

此外，晶圆研磨之后，还需要将保护胶带从晶圆上去除，此过程即为揭膜或剥膜(De-tape)处理。在揭膜时，目前提供一种热剥离方法，具体参考图1～图2。实际操作时，利用热压头1(Press Heater)将剥离膜2(Peeling tape)热压合到保护膜3上，然而利用剥膜机构按照箭头的方向将保护膜3从晶圆4(wafer)上剥离下来并卷收于转轴6上，转轴6可以沿晶圆移动且可转动。其中热压头1加热剥离膜2并同时对剥离膜2施加压力，使得剥离膜2与保护膜3在热压点处强化粘合，从而顺利地将保护膜3从晶圆4上移除。

上述热压合工艺通常要求保护膜3具有耐高温和耐高压的特性，但是这种特性的保护膜3比较硬，缓冲保护效果差，容易造成晶圆功能面受损，影响芯片的质量。然而，若选用不具有耐高温和耐高压特性的保护膜3时，在经过热压合之后，如图3a所示，会在晶圆4的表面留下保护膜3的残留物31(即残留胶)，残留物31会在后续晶圆加工过程中造成玷污和碎片的风险。如果不使用热压合工艺，则如图3b所示，容易使保护膜3出现褶皱32，导致揭膜失败。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种揭膜方法，可以在不加热以及不辅助装置的情况下，成功地将保护胶带从基底上移除，以便于选择材质较软的保护胶带来保护基底，避免基底加工过程中受损的风险，确保了产品质量，降低了揭膜成本。

为实现上述目的，本发明提供一种揭膜方法，包括：

提供贴附了保护胶带的基底，所述基底的边缘形成有缺口，所述保护胶带与所述缺口完全重合；

将揭膜胶带以非热压合的方式压合在所述保护胶带上；

利用剥膜机构从所述缺口位置开始起撕所述揭膜胶带，将所述保护胶带从所述基底上移除。

优选地，所述剥膜机构包括滚轴和主动卷收转轴；其中所述将揭膜胶带以非热压合的方式压合在所述保护胶带上的步骤包括：

使所述滚轴压抵在所述揭膜胶带上，并驱动所述滚轴转动和沿水平方向移动，将所述揭膜胶带与所述保护胶带压合；

所述利用剥膜机构从所述缺口位置开始起撕所述揭膜胶带，将所述保护胶带从所述基底上移除的步骤包括：

将所述揭膜胶带的一端固定在所述主动卷收转轴上；

驱动所述主动卷收转轴从所述缺口的一侧向另一侧水平移动，移动过程中还驱动所述主动卷收转轴转动，将已压合的揭膜胶带和保护胶带卷收在所述主动卷收转轴上，使所述保护胶带从所述基底上移除。

优选地，所述主动卷收转轴的移动速度小于或等于3mm/s。

优选地，以非热压合的方式在所述保护胶带上压合揭膜胶带时的压力为0.1Mpa～0.22Mpa。