[发明专利]一种基于原子力显微镜的纵向压电系数测量方法有效

专利信息
申请号: 202110207388.2 申请日: 2021-02-24
公开(公告)号: CN112986704B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 曾慧中;黄芬;孟奔阳;张文旭;张万里 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R29/22 分类号: G01R29/22;G01Q60/24
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 原子 显微镜 纵向 压电 系数 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于原子力显微镜的纵向压电系数测量方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、采用若干个标准压电薄膜样品,并对每一个标准压电薄膜样品进行以下测量:

步骤1.1、将压电薄膜置于探针下方,设置探针偏压Vtip=V1,设置探针与压电薄膜之间的初始间距为z00:z00≥1μm、终止间距为z01:0<z01≤10nm,根据探针移动步长控制探针向压电薄膜运动,并实时测量探针所受静电力,进而测得探针偏压Vtip=V1的|Fes|-z0曲线,|Fes|表示原子力显微镜测量的探针所受静电力、z0表示探针与压电薄膜表面的间距;

步骤1.2、依次调节探针偏压Vtip=V2,...,Vn,分别测得探针偏压Vtip=V2,V3,...,Vn的|Fes|-z0曲线;

步骤1.3、根据探针偏压Vtip=V1,V2,...,Vn的n条|Fes|-z0曲线,在每条曲线上取z0=z01,并对得到的数据取对数,得到lg(|Fes|)-lg(Vtip)曲线,对lg(|Fes|)与lg(Vtip)进行三阶拟合,标记为曲线,表示取z0=z01、探针偏压为Vtip时的探针所受静电力;以相同方式取z0=z00,得到lg(|Fes|)-lg(Vtip)曲线,对lg(|Fes|)与lg(Vtip)进行线性拟合,标记为曲线;

步骤1.4、在同一坐标系中,对曲线进行平移,使得曲线与曲线的起点重合,以lg(V1)为起点、lg(Vn)为终点,计算得到曲线与曲线的围合面积S;

步骤2、根据步骤1测量得到每一个标准压电薄膜样品的围合面积S、以及每一个标准压电薄膜样品的先验纵向压电系数d33,得到纵向压电系数与面积S拟合曲线、标记为d33-S曲线;

步骤3、采用步骤1.1~步骤1.4测量得到待测压电薄膜的围合面积S′,将围合面积S′带入d33-S曲线中进行插值拟合,得到待测压电薄膜的纵向压电系数。

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