[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110206038.4 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013094B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李洵;朱焜;李华东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供待处理结构，所述待处理结构包括衬底和所述衬底下方的介质层，所述介质层中形成有导体结构，所述导体结构和所述衬底之间形成有连接层，所述连接层用于连接所述导体结构和所述衬底；
对所述衬底进行刻蚀，形成贯穿所述衬底的通孔，以便暴露所述导体结构上的连接层；
沉积绝缘材料；
去除所述通孔底部的绝缘材料和连接层，以暴露所述连接层下的导体结构，以及形成所述通孔侧壁的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述连接层的厚度小于所述绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔在所述衬底的表面所在平面的尺寸范围为700-830纳米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料的厚度范围为155-160纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅，所述介质层的材料为氧化硅。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述连接层的材料为含钛化合物，所述导体结构的材料为金属钨。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述通孔底部的绝缘材料和连接层之后，还包括：
对所述通孔湿法清洗，在所述通孔填充金属。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
所述衬底下方的介质层，所述介质层中具有导体结构；
贯穿所述衬底至所述导体结构的通孔；
所述通孔侧壁覆盖有绝缘层，所述通孔侧壁上的绝缘层通过在所述通孔沉积绝缘材料，去除所述通孔底部的绝缘材料和连接层得到，所述连接层用于连接所述导体结构和所述衬底。
10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述绝缘材料的厚度范围为155-160纳米。
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