[发明专利]一种钴基多层膜及其制备方法

权利要求书

1.一种钴基多层膜，其特征在于，包括：基底以及依次位于所述基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层；所述Co基软磁层的材料包括Co、CoFe和CoFeB中的一种；

所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的材料包括Pt或Ta；

所述基底包括Si基底、TiNi基底、TiNiNb基底中的一种。

2.一种如权利要求1所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一基底；

S2、在所述基底一侧面制备第一覆盖层；

S3、在所述第一覆盖层远离所述基底一侧面制备氮掺杂钨层；

S4、在所述氮掺杂钨层远离所述基底一侧面制备Co基软磁层；

S5、在所述Co基软磁层远离所述基底一侧面制备第二覆盖层。

3.如权利要求2所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，S3中采用磁控溅射法制备得到氮掺杂钨层，其中磁控溅射法具体为：以氩气为溅射气体，以W为溅射靶材，在溅射靶材的同时通入氮气，沉积完成后即得到氮掺杂钨层。

4.如权利要求3所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，通入的氮气与氩气的体积流量比为(0.5~12):16。

5.如权利要求4所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，磁控溅射过程中控制溅射室的本底真空度为1×10^-5~3×10^-5Pa，溅射时氩气压保持为0.24 Pa。

6.如权利要求4所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，W靶材的轰击时间为38~60s。

7.如权利要求3所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，在溅射之前还包括对W靶材进行预处理，预处理具体为：先将W靶材置于有机试剂中超声清洗，然后置于水中超声清洗，然后烘干即完成预处理。

8.如权利要求7所述的钴基多层膜的制备方法，其特征在于，所述有机试剂包括丙酮和/或酒精。