[发明专利]一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法

权利要求书

1.一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法，其特征在于，包括：

对GaN-HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流-电压测试，获得不同温度下的电流-电压数据；

采用改进后的漏极电流公式搭建GaN-HEMT器件的漏电模型，所述大信号模型包括所述漏电模型，所述改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；

将所述不同温度下的电流-电压数据与所述漏电模型进行拟合，确定所述漏电模型的参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对GaN-HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流-电压测试包括：

令所述GaN-HEMT器件的环境温度为预设温度范围内的不同温度；

在任一温度下，对所述GaN-HEMT器件进行脉冲电流-电压测试，获得电流-电压数据。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设温度范围包括25℃-175℃，所述预设温度范围内的不同温度包括25℃、50℃、75℃、100℃、125℃、150℃和175℃。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进行脉冲电流-电压测试时，脉冲的宽度范围为200ns～300ns，周期范围为200μm～300μm，占空比范围为0.1％～0.2％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改进后的漏极电流公式为：I_ds＝F_g*F_d*G_md*i_dss；

其中，

V_p＝V_p0+V_φ+P*V_ds；W_th＝w₀+w₁*T_j；G_md＝1+β_gmd*(V_ds-V_dm)*(1+tanh(α_gmd*(V_gs-V_gm)))；

T_j为与环境温度相关的参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改进后的漏极电流公式为：I_ds＝F_g*F_d*G_md*i_dssth；

其中，

V_p＝V_p0+V_φ+P*V_ds；G_md＝1+β_gmd*(V_ds-V_dm)*(1+tanh(α_gmd*(V_gs-V_gm)))；

T_j为与环境温度相关的参数。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改进后的漏极电流公式为：I_ds＝F_g*F_d*G_md*i_dss；

其中，

V_p＝V_p0+V_φ+P*V_ds；

G_md＝1+β_gmd*(V_ds-V_dm)*(1+tanh(α_gmd*(V_gs-V_gm)))；

T_j为与环境温度相关的参数。