[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

处理容器，其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件；

制冷装置，以在其与所述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置，具有制冷机和与所述制冷机层叠的制冷载热体；

使所述载置台旋转的旋转装置；

使所述载置台升降的第一升降装置；

致冷剂流路，其设置在所述制冷装置的内部，对所述间隙供给致冷剂；和

冷量传递材料，其配置在所述间隙，与所述载置台和所述制冷载热体这两者可热传导地接触。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述冷量传递材料由粉体形成。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述粉体由以粉状的铜、粉状的银或者粉状的碳类材料中的任一种为主成分的材料形成。

4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述冷量传递材料中还添加有防带电材料。

5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述冷量传递材料由润滑脂形成。

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

所述润滑脂由以纳米尺寸的银或者纳米尺寸的有机硅中的任一种为主成分的低沸点糊状材料形成。

7.如权利要求1至6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述载置台的所述下表面设置有与所述载置台的旋转中心轴同轴的圆环状的凸部，

在所述制冷载热体的上表面设置有与所述凸部同轴的圆环状的凹部，

在所述凹部间隙嵌合所述凸部，在所述凹部与所述凸部之间形成有所述间隙。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括使所述制冷装置升降的第二升降装置。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括控制装置，

所述控制装置执行仅所述第二升降装置的升降控制以及所述第一升降装置和所述第二升降装置的同步控制。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括分别测量所述间隙的压力和温度的压力传感器和温度传感器，

所述压力传感器和所述温度传感器的测量数据被发送到所述控制装置。

11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

准备基片处理装置的步骤，其中，所述基片处理装置包括：处理容器，其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件；制冷装置，以在其与所述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置，具有制冷机和与所述制冷机层叠的制冷载热体；和冷量传递材料，其配置在所述间隙，与所述载置台和所述制冷载热体这两者可热传导地接触；以及

在所述载置台载置所述基片并使其旋转，将由所述制冷装置冷却了的致冷剂供给到所述间隙，并且经由所述冷量传递材料将所述致冷剂的冷量传递到所述载置台，对所述处理容器的内部供给处理气体来处理所述基片的步骤。

12.如权利要求11所述的基片处理方法，其特征在于：

在使所述载置台固定的状态下，使所述制冷装置升降，由此对所述间隙进行调整。

13.如权利要求11或12所述的基片处理方法，其特征在于：

使所述载置台和所述制冷装置这两者同步地升降，由此在维持所述间隙的状态下对所述载置台与所述靶材保持件的距离进行调整。