[发明专利]芯片封装工艺

说明书

本发明公开一种芯片封装工艺，包括步骤：提供一晶圆模组，晶圆模组包括晶圆和第一贴膜，晶圆具有多个芯片，芯片的背面粘接在第一贴膜上，芯片的正面设置有多个间隔布置的凸点；提供一胶膜，胶膜具有层叠设置的导电胶层和非导电胶层，将胶膜贴设于芯片的正面，并将凸点嵌设于非导电胶层内，以使凸点与导电胶层接触；分离各芯片，并对应凸点将各芯片上的导电胶层断开；将各芯片贴装于基板上，以使导电胶层与基板的焊盘连接形成导电结构，非导电胶层将导电结构封装。本发明利用具有导电胶层和非导电胶层胶膜即可实现芯片与基板之间的互联，大大简化了封装工序，加快生产速度，提高生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种芯片封装工艺。

背景技术

电子产品的迅猛发展是当今封装技术进化的主要驱动力，小型化、高密度、高频高速、高性能、高可靠性和低成本成为当前先进封装的主流发展方向。

目前，实现芯片与基板之间的互联主要有芯片贴装后焊线以及芯片倒装这两种方式，其中，芯片贴装后焊线的方式是：通过环氧树脂、银浆、DAF胶膜等粘结材料将芯片固定后，再通过焊线实现芯片与基板之间的互联；芯片倒装方式是将芯片贴装与焊线相结合，一次性实现互联。但是，芯片贴装后焊线以及芯片倒装的方式工序较为繁琐，生产速度慢，生产效率低，比如，芯片倒装涉及芯片倒装、回流焊、Flux清洗、烘烤、等离子清洗、底部填充(Underfill)、压力烘烤等辅助站别，工序较为繁琐，且封装过程中涉及封装设备较多，封装设备成本高。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种芯片封装工艺，旨在解决现有技术中芯片与基板之间的实现互联的方式工序繁琐以及生产效率低的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种芯片封装工艺，所述芯片封装工艺包括如下步骤：

提供一晶圆模组，所述晶圆模组包括晶圆和第一贴膜，所述晶圆具有多个芯片，所述芯片的背面粘接在所述第一贴膜上，所述芯片的正面设置有多个间隔布置的凸点；

提供一胶膜，所述胶膜具有层叠设置的导电胶层和非导电胶层，将所述胶膜贴设于所述芯片的正面，并将所述凸点嵌设于所述非导电胶层内，以使所述凸点与所述导电胶层接触，以使所述凸点与所述导电胶层接触；

分离各所述芯片，并对应所述凸点将各所述芯片上的所述导电胶层断开；

将各所述芯片贴装于基板上，以使所述导电胶层与所述基板的焊盘连接形成导电结构，所述非导电胶层将所述导电结构封装。

优选地，所述提供一胶膜，所述胶膜具有层叠设置的导电胶层和非导电胶层，将所述胶膜贴设于所述芯片的正面，并将所述凸点嵌设于所述非导电胶层内，以使所述凸点与所述导电胶层接触的步骤包括：

以所述非导电胶层面向所述凸点的方向将所述胶膜贴设于所述芯片的正面；

对所述晶圆进行加热，所述非导电胶层受热后流动至任意相邻的两个所述凸点之间的间隙内；

压合所述胶膜与所述晶圆，以使所述凸点嵌设于所述非导电胶层内并与所述导电胶层接触。

优选地，所述对对所述晶圆进行加热，所述非导电胶层受热后流动至任意相邻的两个所述凸点之间的间隙内的步骤包括：

在50℃～150℃的温度下对所述晶圆持续加热10s～100s，所述非导电胶层受热后流动至任意相邻的两个所述凸点之间的间隙内并将所述间隙填满。

优选地，所述胶膜还包括第一离型膜层和第二离型膜层，所述第一离型膜层贴设于所述非导电胶层背离所述导电胶层的一面，所述第二离型膜层贴设于所述导电胶层背离所述非导电胶层的一面；

在所述以所述非导电胶层面向所述凸点的方向将所述胶膜贴设于所述芯片的正面的步骤之前，还包括：

将所述第一离型膜层从所述非导电胶层上撕下。