[发明专利]用以更新记忆体装置的系统与方法

权利要求书

1.一种用以更新记忆体装置的系统，其特征在于，包括：

一记忆体阵列；以及

一控制器，该控制器用以以一第一更新循环率对该记忆体阵列执行一更新操作；

其中该第一更新循环率来源于一查找表中的一第一更新时间，该查找表用以分别地储存多个更新时间及对应于所述多个更新时间的多个更新温度。

2.如权利要求1所述的用以更新记忆体装置的系统，其特征在于，进一步包括：

一感测电路，该感测电路用以感测与该记忆体阵列相关联的操作温度；

其中当一第一操作温度改变至一第二操作温度时，该控制器进一步用以获取对应于该第二操作温度的一第二更新时间，并且用以以一第二更新循环率对该记忆体阵列执行该更新操作。

3.如权利要求2所述的用以更新记忆体装置的系统，其特征在于，该控制器包括：

一计时器电路，该计时器电路用以对一更新时间周期计数，

其中该控制器进一步用以在该控制器获取该第二更新时间之后重设该计时器电路以对另一更新时间周期计数。

4.如权利要求1所述的用以更新记忆体装置的系统，其特征在于，进一步包括：

一储存单元，该储存单元用以独立地储存包括所述多个更新时间及对应于所述多个更新时间的更新温度间隔的该查找表；

其中该控制器进一步用以通过判定与该记忆体阵列相关联的一第一操作温度及一第二操作温度是否在所述多个更新温度间隔的不同间隔内来设置一第二更新循环率。

5.如权利要求1所述的用以更新记忆体装置的系统，其特征在于，该控制器进一步用以监控与该记忆体阵列相关联的多个操作温度中的一最高操作温度，并且用以设置对应于该最高操作温度的一第二更新循环率。

6.一种用以更新记忆体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

对多个晶粒上的多个记忆体阵列的多个更新时间周期计数；

记录所计数的所述多个更新时间周期以用于产生依赖于多个温度的多个晶粒间差异表；

基于与所述多个记忆体阵列相关联的多个操作温度而在所述多个晶粒间差异表中查找，以获取多个更新时间；

设置多个更新循环率以用于对所述多个晶粒上的所述多个记忆体阵列执行一更新操作；以及

由一控制器对所述多个晶粒上的所述多个记忆体阵列执行该更新操作。

7.如权利要求6所述的用以更新记忆体装置的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

当所述操作温度降低时，增大所述更新循环率的持续时间。

8.一种用以更新记忆体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：

感测与一晶粒上的多个记忆体阵列相关联的一第一操作温度；

根据该第一操作温度自一查找表获取对应于所述多个记忆体阵列的一第一更新时间；以及

以对应于该第一更新时间的一第一更新循环率更新所述多个记忆体阵列中所储存的数据。

9.如权利要求8所述的用以更新记忆体装置的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

通过对在不同温度下操作的所述多个记忆体阵列的多个更新时间周期计数而产生该查找表。

10.如权利要求8所述的用以更新记忆体装置的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

感测不同于该第一操作温度的一第二操作温度；

判定该第一操作温度与该第二操作温度是否在一相同温度间隔内；

回应于该判定，保持以该第一更新循环率更新所述多个记忆体阵列中的该数据；以及

当该第一操作温度与该第二操作温度在不同温度间隔内并且该第二操作温度高于该第一操作温度时，重设一计时器以用于对所述多个记忆体阵列的一更新时间周期计数。