[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

线路结构，所述线路结构包括导电衬垫，所述导电衬垫设置于倾斜面上，所述导电衬垫的内部具有容置空间；

第一导电通孔，所述第一导电通孔至少部分位于所述容置空间内，所述第一导电通孔与所述导电衬垫电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括基板、芯片和介电层；

所述芯片位于所述基板上；

所述介电层从上方包覆所述基板和所述芯片；

所述线路结构形成于所述介电层上，所述介电层的上表面包括所述倾斜面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述容置空间由底面和与所述底面接合的侧壁形成，所述第一导电通孔从所述容置空间的与所述底面相对的开口进入所述容置空间。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述导电衬垫包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层形成所述容置空间的底面，所述第二导电层形成所述容置空间的侧壁，所述第一导电通孔包括金属部分和第一种子层，所述金属部分位于所述第一种子层内部，所述第一种子层在所述容置空间的所述底面和所述侧壁上延伸。

5.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述侧壁为闭合圆弧面并且所述闭合圆弧面的轴线沿竖直方向，所述底面平行于所述倾斜面，所述容置空间的水平截面的面积在自上而下的方向上逐渐减小。

6.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述线路结构还包括第二导电通孔，所述第二导电通孔穿过介电层，所述第二导电通孔的第一端位于所述介电层的上表面，所述第二导电通孔的第二端与所述芯片电连接；

其中，所述半导体封装装置还包括粘合层和重布线层；

所述粘合层位于所述介电层和所述重布线层之间，所述粘合层分别与所述介电层和所述重布线层粘接；

所述第一导电通孔贯穿所述粘合层和所述重布线层，所述第一导电通孔的远离所述导电衬垫的一端与所述重布线层电连接。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电通孔自内而外依次为金属和第一种子层，或者所述第一导电通孔自内而外依次为有机物、金属和第一种子层。

8.一种制造半导体封装装置的方法，包括：

将芯片放置于基板上；

通过涂布方式在所述基板和所述芯片上方形成介电层，其中，所述介电层包覆所述基板和所述芯片，所述介电层的上表面包括倾斜面；

在所述介电层上形成线路结构，其中，所述线路结构包括导电衬垫，所述导电衬垫位于于所述倾斜面上，所述导电衬垫的内部具有容置空间；

通过粘合层将预先形成的重布线层粘接于所述介电层上方；

在所述粘合层和所述重布线层的内部形成第一导电通孔，其中，所述第一导电通孔至少部分位于所述容置空间内，所述第一导电通孔与所述导电衬垫电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述在所述介电层上形成线路结构，包括：

通过光刻方式，在所述介电层内部形成第二通孔，其中，所述第二通孔将所述芯片和所述介电层的表面连通；

通过沉积方式，在所述介电层上和所述第二通孔内形成第二种子层；

在所述介电层上方设置光刻胶并形成第二光刻图案；

在所述介电层的上表面进行电镀；

去除所述光刻胶以及进行蚀刻，以得到所述线路结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述在所述粘合层和所述重布线层的内部形成第一导电通孔，包括：

通过激光钻孔方式，在所述粘合层和所述重布线层的内部形成第一通孔，其中，所述第一通孔将所述导电衬垫和所述重布线层的表面连通；

通过蚀刻方式，去除所述第一通孔对应的所述线路结构的电镀金属而保留所述第一通孔对应的所述线路结构的所述第二种子层，以形成所述容置空间；

通过沉积方式，在所述重布线层上和所述第一通孔内形成第一种子层；

在所述重布线层上方设置光刻胶并形成第一光刻图案；

在所述重布线成的上表面进行电镀；

去除所述光刻胶以及进行蚀刻，以得到所述第一导电通孔。