[发明专利]一种物理气相传输法用坩埚盖及其制备方法有效
| 申请号： | 202110200688.8 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112981524B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 姚恒 | 申请（专利权）人： | 芜湖予秦半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/20;C30B29/06;C30B29/36;C30B33/02;C30B33/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 相传 输法用 坩埚 及其 制备 方法 | ||
1.一种物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，由依次设置的石墨层、复合粘结剂、硅层和籽晶层组成；
所述籽晶层，材质为SixCy，其中0＜x≤1，0＜y≤1，且靠近所述硅层一侧表面，x接近1，y接近0；
所述坩埚盖由包括以下步骤的制备方法制备而成：
S1.以所述硅层为基底，外延生长过渡硅层；
S2.在所述过渡硅层表面，外延生长碳掺杂的硅层；
S3.对步骤S2所得材料进行热处理，所述过渡硅层和所述碳掺杂的硅层共同形成所述籽晶层；
S4.将步骤S3所得材料远离所述籽晶层的一侧表面与所述石墨层进行粘结复合，即得所述物理气相传输法用坩埚盖。
2.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，所述硅层，厚度为180μm～200μm。
3.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，步骤S1～S2在MOCVD仪器中进行。
4.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，步骤S1中，所述过渡硅层，厚度为50nm～100nm。
5.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，步骤S2中，所述碳掺杂的硅层，厚度为50nm～100nm。
6.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，步骤S2中，需同时通入有机硅源和有机碳源。
7.根据权利要求1所述的物理气相传输法用坩埚盖，其特征在于，步骤S3中，所述热处理，温度为1100℃～1400℃。
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