[发明专利]等离子体处理装置、半导体部件和边缘环在审
| 申请号： | 202110200407.9 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113363129A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黑泽阳一;松山昇一郎;佐佐木康晴;舆水地盐 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 半导体 部件 边缘 | ||
本发明提供一种等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且，等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。根据本发明，能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置、半导体部件和边缘环。
背景技术
专利文献1公开有对聚焦环施加电压来进行等离子体处理的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-195817号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明提供抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生的技术。
用于解决问题的方式
本发明的一个方式的等离子体处理装置包括半导体部件和供电部。半导体部件构成内部能够实施等离子体处理的腔室的至少一部分或者配置在腔室内，且使用有半导体材料。供电部向半导体部件供给电力或将半导体部件设为GND电位。而且，等离子体处理装置至少在半导体部件与供电部接触的接触面设置有导电部。
发明的效果
根据本发明，能够抑制半导体部件与供电部间的异常放电的发生。
附图说明
图1是概略地表示实施方式的等离子体处理装置的截面的一个例子的图。
图2是简略地表示实施方式的等离子体处理装置的结构的图。
图3是表示实施方式的载置台的结构的一个例子的图。
图4是概略地表示现有的供电部的结构的图。
图5A是概略地表示本实施方式的供电部的结构的图。
图5B是概略地表示本实施方式的供电部的结构的图。
图5C是概略地表示本实施方式的供电部的结构的图。
图6是表示基于导电部的电阻率的变化而引起的聚焦环的温度分布的图。
图7A是概略地表示现有的供电部的结构的图。
图7B是表示测量传热气体的泄漏量的试验的结果的一个例子的图。
图8A是概略地表示本实施方式的供电部的结构的图。
图8B是表示测量传热气体的泄漏量的试验的结果的一个例子的图。
图9A是概略地表示本实施方式的供电部的结构的图。
图9B是表示测量传热气体的泄漏量的试验的结果的一个例子的图。
附图标记的说明
10 等离子体处理装置
12 腔室
13 支承台
30 喷淋头
48 挡板
51 排气口
73 上部电极
74 GND部件
70a～70e 供电部
80a～80e 导电部
具体实施方式
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