[发明专利]体声波谐振结构及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波谐振结构，其特征在于，包括：

衬底；

依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层；其中，所述压电层中设置有环状的凹槽，所述凹槽处于有源区内，且靠近所述有源区的边缘；

所述凹槽的数量包括多个，多个凹槽沿第一方向依次排布，所述第一方向包括由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部的方向；

所述多个凹槽的开口深度均小于所述压电层的厚度，且所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递减、或沿所述第一方向依次递增、或部分相同、或全部相同；

一个凹槽包括多个子凹槽；多个子凹槽一起形成环状；多个子凹槽中每个子凹槽的开口深度相同；

所述子凹槽的开口宽度与相邻子凹槽间的间距均不等于所述压电层中产生的侧向波的高次谐波的半波长的整数倍。

2.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的外轮廓包括封闭的形状，所述封闭的形状包括一条弧线及两条或两条以上的直线。

3.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括三个。

4.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递减。

5.根据权利要求4所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的数量包括N个；N个凹槽中沿所述第一方向的第i个凹槽的开口深度为：(N-i+1)*H/(N+1)；其中，所述N为大于1的正整数，所述i为正整数，且1≤i≤N，所述H为所述压电层的厚度。

6.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度沿所述第一方向依次递增；所述凹槽的数量包括N个；N个凹槽中沿所述第一方向的第i个凹槽的开口深度为：i*H/(N+1)，其中，所述N为大于1的正整数，所述i为正整数，且1≤i≤N，所述H为所述压电层的厚度。

7.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度相同；所述多个凹槽中每个凹槽的开口深度范围均为：1/2H～H；其中，所述H为压电层的厚度。

8.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，多个子凹槽中每个子凹槽的截面形状包括长条形、圆形或者椭圆形。

9.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述子凹槽的开口宽度范围为：0.05um～10um；所述相邻子凹槽间的间距范围为：0.05um～10um。

10.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽的开口朝向所述压电层的顶面、或者所述凹槽的开口朝向所述压电层的底面、或者所述凹槽位于所述压电层的中间。

11.根据权利要求1所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽中设置有填充材料，所述填充材料的声阻抗与所述压电层的材料的声阻抗的差值大于预设值。

12.根据权利要求11所述的谐振结构，其特征在于，所述凹槽中的填充材料包括空气或者非结晶材料。

13.根据权利要求1至12任一项所述的谐振结构，其特征在于，所述第二电极层上设置有边框，所述边框具有环状立体结构，所述边框处于所述有源区内，且靠近所述有源区的边缘。