[发明专利]显示装置、显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110199003.2 申请日: 2021-02-22
公开(公告)号: CN113013356B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 王蓉;张波;舒晓青;董向丹;何帆 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H10K50/82 分类号: H10K50/82;H10K71/00;H10K59/12;H01L27/12
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 陈蕾
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 显示 面板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

基底,包括显示区与围绕所述显示区的边框区;

导电层,位于所述边框区上;

有机绝缘结构与第一有机凸环,位于所述导电层远离所述基底的一侧,所述有机绝缘结构与所述第一有机凸环之间具有暴露所述导电层的第一隔离槽;

阴极材料层,位于所述有机绝缘结构远离所述基底的一侧;所述第一隔离槽的宽度与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.025~0.218。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一隔离槽的宽度与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.032~0.194。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:

像素驱动电路,位于所述显示区上,所述像素驱动电路包括晶体管;

像素结构,位于所述像素驱动电路远离所述基底的一侧,所述像素结构包括阳极;所述阳极与所述晶体管的第一极之间通过转接电极电连接,所述第一极为源极与漏极中的一个;所述导电层为所述转接电极。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括:

第一平坦化层,位于所述晶体管远离所述基底的一侧与所述边框区的部分区域上;所述转接电极设置在所述第一平坦化层远离所述基底的一侧与所述第一平坦化层暴露出的所述边框区上;

第二平坦化层,位于所述转接电极与未覆盖所述转接电极的所述第一平坦化层远离所述基底的一侧;所述阳极设置在所述第二平坦化层远离所述基底的一侧;

像素定义层,位于所述阳极与未覆盖所述阳极的所述第二平坦化层远离所述基底的一侧,所述像素定义层具有暴露所述阳极的开口;所述有机绝缘结构与所述第一有机凸环都为所述第二平坦化层与所述像素定义层的层叠结构。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机凸环与所述第一隔离槽的宽度之和与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.23~0.469。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:

第二有机凸环,位于所述导电层远离所述基底的一侧,所述第二有机凸环与所述第一有机凸环之间具有暴露所述导电层的第二隔离槽;所述第二有机凸环、所述第二隔离槽、所述第一有机凸环以及所述第一隔离槽的宽度之和与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.359~0.903。

7.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1至6任一项所述的显示面板。

8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:

提供基底,所述基底包括显示区与围绕所述显示区的边框区;在所述边框区上形成导电层;

在所述导电层远离所述基底的一侧形成有机绝缘结构与第一有机凸环,所述有机绝缘结构与所述第一有机凸环之间具有暴露所述导电层的第一隔离槽;

在所述有机绝缘结构远离所述基底的一侧形成阴极材料层,控制所述第一隔离槽的宽度与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.025~0.218。

9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述导电层远离所述基底的一侧还形成第二有机凸环,所述第二有机凸环与所述第一有机凸环之间具有暴露所述导电层的第二隔离槽;控制所述第二有机凸环、所述第二隔离槽、所述第一有机凸环以及所述第一隔离槽的宽度之和与所述阴极材料层的边缘位置距离所述有机绝缘结构的边缘的最大允许波动量之间的比值范围为0.359~0.903。

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