[发明专利]一种光电放大电路

权利要求书

1.一种光电放大电路，其特征在于，包括：

放大器和第一电阻，所述第一电阻连接于所述放大器的第一输入端和输出端之间，所述放大器的第一输入端连接有光电二极管，所述放大器的第二输入端连接参考电压；

至少两个第一晶体管，各所述第一晶体管并联于第一电源和所述放大器的第一输入端之间；各所述第一晶体管的沟道宽长比不同；

电流控制模块，所述电流控制模块包括差分放大器和控制电路，所述差分放大器的第一输入端连接所述放大器的第一输入端，所述差分放大器的第二输入端连接所述放大器的输出端；所述差分放大器的输出端连接所述控制电路，所述控制电路受所述差分放大器控制；所述电流控制模块用于根据所述第一电阻两端的电压，逐级开启所述第一晶体管，后开启的所述第一晶体管的沟道宽长比大于先开启的所述第一晶体管的沟道宽长比。

2.根据权利要求1所述的光电放大电路，其特征在于，所述第一晶体管的数量为2，各所述第一晶体管都是P型晶体管。

3.根据权利要求2所述的光电放大电路，其特征在于，所述控制电路包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管和第二电阻；

所述第一晶体管中沟道宽长比较小的作为第三P型晶体管，所述第一晶体管中沟道宽长比较大的作为第四P型晶体管；

所述第二电阻和所述第三N型晶体管的漏极的连接点为第一连接点；

其中，所述差分放大器的第一输出端和第二输出端分别连接所述第二P型晶体管的源极和所述第一P型晶体管的源极，所述第一N型晶体管和第二N型晶体管的漏极分别连接所述第一P型晶体管和第二P型晶体管的漏极，所述第二电阻连接于所述第三N型晶体管的漏极和所述第一电源之间，所述第一P型晶体管的栅极和漏极短接，所述第二N型晶体管的漏极和栅极短接，所述第一P型晶体管的栅极、所述第二P型晶体管的栅极和所述第三P型晶体管的栅极依次连接，所述第一N型晶体管的栅极、第二N型晶体管的栅极、第三N型晶体管的栅极依次连接，所述第一连接点连接第四P型晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的光电放大电路，其特征在于，流过光电二极管的直流电流不大于第三P型晶体管的饱和区电流，所述第一电源的电压与所述第一连接点电压之差小于第四P型晶体管的阈值电压，所述第三P型晶体管开启，所述第四P型晶体管关断。

5.根据权利要求3所述的光电放大电路，其特征在于，流过光电二极管的直流电流大于第三P型晶体管的饱和区电流，所述第一电源的电压与所述第一连接点电压之差大于第四P型晶体管的阈值电压，所述第三P型晶体管和所述第四P型晶体管均开启。

6.根据权利要求1所述的光电放大电路，其特征在于，所述差分放大器的带宽小于流过所述光电二极管交流电流的频率。

7.根据权利要求3所述的光电放大电路，其特征在于，所述电流控制模块还包括：第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，所述第一电容连接于所述差分放大器的第一输出端和接地端之间，所述第二电容连接于所述差分放大器的第二输出端和接地端之间，所述第三电容的一端连接于所述第一P型晶体管的栅极和所述第一电源之间，所述第四电容的一端连接于所述第一连接点和所述第一电源之间，所述第一电容、第二电容、第三电容和第四电容均用于降低所述差分放大器的输出带宽。