[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次沉积第一隔离层、底部牺牲层和第二隔离层以形成底部叠层结构；

对所述底部叠层结构和所述衬底进行刻蚀，形成第一沟道孔；

在所述底部叠层结构上形成牺牲叠层结构；所述牺牲叠层结构包括交替堆叠的第三牺牲层和第三隔离层；

对所述牺牲叠层结构进行刻蚀，形成第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔相连通；

在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道柱；以及

将所述底部牺牲层和所述第三牺牲层替换为栅极导体，得到堆叠在所述衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构，

其中，所述形成沟道柱包括：

覆盖所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的底部与侧壁依次形成栅介质层、电荷存储层、隧穿介质层以及沟道层；

依次贯穿位于所述第一沟道孔底部的所述沟道层、所述隧穿介质层、所述电荷存储层以及所述栅介质层形成接触孔；以及

将所述沟道层延伸至所述接触孔的底部。

2.根据权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件的制造方法还包括：

对所述第一沟道孔的至少一部分进行扩孔，以得到顶部第一沟道孔和底部第一沟道孔，

其中，所述顶部第一沟道孔的直径大于所述底部第一沟道孔的直径。

3.根据权利要求2所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述底部叠层结构包括第二隔离层；

所述顶部第一沟道孔位于所述第二隔离层中，且所述顶部第一沟道孔的深度小于所述第二隔离层的厚度。

4.根据权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件的制造方法还包括：

在所述底部叠层结构上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层填充所述第一沟道孔；

对所述第一沟道孔的顶部进行扩孔，得到顶部第一沟道孔和底部第一沟道孔；

在所述第一牺牲层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层填充所述顶部第一沟道孔；

在所述底部叠层结构和所述第二牺牲层上形成所述牺牲叠层结构。

5.根据权利要求4所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述对所述第一沟道孔的顶部进行扩孔，得到顶部第一沟道孔和底部第一沟道孔包括：

对所述第一牺牲层进行刻蚀，得到第一孔；以及

对所述第一孔进行扩孔，得到所述顶部第一沟道孔。

6.根据权利要求4所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述存储器件的制造方法还包括：

对所述第一牺牲层进行表面平坦化处理，以使所述第一牺牲层的上表面与所述底部叠层结构的上表面平齐；

对所述第二牺牲层进行表面平坦化处理，以使所述第二牺牲层的上表面与所述底部叠层结构的上表面平齐；以及

在形成所述第二沟道孔后，去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

7.一种存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一叠层结构，位于所述衬底上；

第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上；

沟道柱，贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构，且到达所述衬底中，

其中，所述沟道柱包括位于所述第一叠层结构中的第二沟道柱部分和第三沟道柱部分，以及位于所述第二叠层结构中的第一沟道柱部分；

依次堆叠的第一隔离层、栅极导体和第二隔离层形成所述第一叠层结构；

所述沟道柱包括依次堆叠的阻挡介质层、电荷存储层、隧穿介质层和沟道层。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，所述第二沟道柱部分位于所述第三沟道柱部分的上方；

所述第二沟道柱部分的直径大于所述第三沟道柱部分的直径。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其特征在于，在所述第二隔离层中的所述第二沟道柱部分的直径大于所述第三沟道柱部分的直径。