[发明专利]薄膜封装方法及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜封装方法，其特征在于，包括：

提供待封装的发光器件，所述发光器件包括阵列基板、发光器件层以及位于所述发光器件层背向所述阵列基板一侧的第一无机封装膜层；

对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行表面活化处理，以形成富集自由基薄层；

在所述富集自由基薄层背向所述阵列基板一侧表面涂覆掺杂有纳米碳材料的有机封装材料，所述纳米碳材料含有活性官能团；

预处理所述有机封装材料，所述有机封装材料的一部分渗透于富集自由基薄层，所述活性官能团与所述富集自由基薄层中的自由基键合形成第一化学吸附界面层，所述有机封装材料的另一部分形成第一有机封装膜层，以形成第一封装结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，进一步包括：在所述第一有机封装膜层背向所述第一无机封装膜层的一侧形成第二无机封装膜层，所述第二无机封装膜层与所述第一有机封装膜层之间形成第二化学吸附界面层。

3.根据权利要求2所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述在所述第一有机封装膜层背向所述第一无机封装膜层的一侧形成第二无机封装膜层，所述第二无机封装膜层与所述第一有机封装膜层之间形成第二化学吸附界面层的步骤中，将所述第一封装结构放入反应室中，将多种气态无机原材料导入所述反应室中，在预设反应条件下，所述多种气态无机原材料的一部分参与形成所述第二化学吸附界面层，所述多种气态无机原材料的另一部分形成所述第二无机封装膜层。

4.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行表面活化处理，以形成富集自由基薄层的步骤中：

采用含有所述自由基的等离子体对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行等离子活化处理，形成粗糙的所述富集自由基薄层，其中，所述自由基与构成所述第一无机封装膜层的无机材料具有相应的化学元素。

5.根据权利要求4所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行表面活化处理，以形成富集自由基薄层的步骤中，

所述构成所述第一无机封装膜层的无机材料包括含氮的硅基材料和含氧的硅基材料中的至少一者，所述自由基包括含氮自由基、含氧自由基以及氮氧自由基中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行表面活化处理，以形成富集自由基薄层的步骤中，

所述构成所述第一无机封装膜层的无机材料包括SiN材料或SiON材料中的至少一者。

7.根据权利要求5所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述对所述第一无机封装膜层背向所述阵列基板一侧进行表面活化处理，以形成富集自由基薄层的步骤中，

采用氮气和/或一氧化二氮气体形成所述等离子体，以使所述自由基包括含氮自由基、含氧自由基以及氮氧自由基中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述在所述富集自由基薄层背向所述阵列基板一侧表面涂覆掺杂有纳米碳材料的有机封装材料，所述纳米碳材料含有活性官能团的步骤中，

所述纳米碳材料包括碳纳米管、改性碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯、纳米碳纤维和改性纳米碳纤维中的一种或几种。

9.根据权利要求8所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述有机封装材料中所述纳米碳材料的掺杂量为0.02wt％～0.05wt％。

10.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述在所述富集自由基薄层背向所述阵列基板一侧表面涂覆掺杂有纳米碳材料的有机封装材料，所述纳米碳材料含有活性官能团的步骤中，

所述活性官能团包括羧基、羟基、酮基以及环氧基中的至少一种。