[发明专利]一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜

权利要求书

1.一种可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜及其制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1：采用旋涂法将光刻胶涂覆在衬底表面；

步骤2：利用紫外光刻工艺将衬底上的光刻胶涂层进行图形化；

步骤3：使用氧等离子体对衬底表面进行全局刻蚀，使得表层的光刻胶发生硬化形成一层硬化光刻胶薄膜；

步骤4：将经过氧等离子体全局刻蚀的样品浸泡在剥离溶剂中，通过原位转移方法，将硬化光刻胶薄膜垂直转移至衬底上。

2.如权利要求1所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜及其制备方法，其特征在于：步骤4中所述的原位转移方法包括如下分步骤：

步骤41：将经过氧等离子体全局刻蚀的样品放入剥离溶剂中约2个小时以溶解未硬化的光刻胶；

步骤42：从剥离溶剂中缓慢取出样品并保持样品表面被剥离溶剂完全浸润，将样品静置在水平工作台上5至10分钟，让样品表面的残余剥离溶剂自然挥发；

步骤43：待样品表面的剥离溶剂完全挥发之后，将样品依次浸入丙酮和异丙醇之中以去除表面残留有机物；

步骤44：从最后的异丙醇清洗溶剂中缓慢取出样品并保持样品表面被异丙醇完全浸润，接着使用高压氮气枪将样品表面的异丙醇快速吹干。

3.如权利要求1所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜，其特征在于：步骤1所述的光刻胶为以酚醛树脂为基体材料的正性光刻胶。

4.如权利要求1所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜，其特征在于：步骤1所述的衬底可以是硅晶圆、金属层或者PET等有机衬底。

5.如权利要求1所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜，其特征在于：步骤3氧等离子体刻蚀所用的RF功率为45瓦，持续时间为20秒。

6.如权利要求1所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜，其特征在于：步骤4所述的剥离溶剂为丙酮或异丙醇。

7.如权利要求1或2所述的可图形化的超薄硬化光刻胶介电薄膜，其特征在于，该方法通过重复操作实现任意层数硬化光刻胶薄膜的堆叠；

在重复堆叠过程中，若设计的第2层硬化光刻胶图形尺寸比第1层大，则最后制备的这两层硬化光刻胶薄膜的尺寸与设计值保持一致；

在重复堆叠过程中，若设计的第2层硬化光刻胶图形尺寸比第1层小，由于氧等离子体的灰化作用，第2层硬化光刻胶薄膜的尺寸被裁剪成与第1层一致。