[发明专利]具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法在审
申请号: | 202110196852.2 | 申请日: | 2021-02-22 |
公开(公告)号: | CN112987489A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 陈燕鹏;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 器件 辅助 图形 版图 opc 修正 方法 | ||
1.一种具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、提供具有器件辅助图形的初始版图,在所述器件辅助图形中选取特征器件辅助图形,在所述初始版图中截取包含了所选取的所述特征器件辅助图形的特征子版图,对所述特征子版图进行OPC修正形成掩模板子图层;
步骤二、对所述初始版图中的所述特征器件辅助图形进行图形匹配并将匹配到的所述特征辅助图形都替换为所述掩模板子图层并生成第一掩模板图层;
步骤三、对所述初始版图中和所述第一掩模板图层未接触的主图形和所述器件辅助图形进行OPC修正形成第二掩模板图层,将所述第一掩模板图层和所述第二掩模版图层进行合并形成最终掩模板图层。
2.如权利要求1所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中的所述特征器件辅助图形包括一类以上,每一类特征对应的所述特征器件辅助图形都形成和特征类型相对应的所述掩模板子图层和所述第一掩模板图层;
步骤三中,将各特征类型对应的所述第一掩模板图层和所述第二掩模版图层一起进行合并形成所述最终掩模板图层。
3.如权利要求1或2所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中所述特征器件辅助图形的所选取方法包括:
将在所述初始版图中大量重复放置的所述器件辅助图形选择为所述特征器件辅助图形。
4.如权利要求3所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中,所述特征子版图的截取方法为:
截取包含至少3*3个最小重复单元的子版图作为所述特征子版图。
5.如权利要求1或2所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中所述特征器件辅助图形的所选取方法包括:
将尺寸大于等于最小设计规则规定的最小尺寸的1.5倍以及间距大于等于最小设计规则规定的最小间距的1.5倍的所述器件辅助图形选择为所述特征器件辅助图形。
6.如权利要求1或2所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中所述特征器件辅助图形的所选取方法包括:
将距离所述初始版图中的所述主图形的距离大于等于设计规则规定的所述主图形与所述器件辅助图形的最小间距的1.5倍的所述器件辅助图形作为所述特征器件辅助图形。
7.如权利要求6所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中,所述特征子版图的截取方法为:
截取包含1个相对独立的器件辅助图形的子版图作为所述特征子版图。
8.如权利要求1所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中,对所述特征子版图进行OPC修正的过程包括:
生成OPC目标层;
添加亚曝光辅助图形;
进行基于OPC模型的修正生成所述掩模板子图层。
9.如权利要求1所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:步骤三中,对所述初始版图中和所述第一掩模板图层未接触的所述主图形和所述器件辅助图形进行OPC修正的过程包括:
生成OPC目标层;
添加亚曝光辅助图形;
进行基于OPC模型的修正生成所述第二掩模板图层。
10.如权利要求1或9所述的具有器件辅助图形的版图的OPC修正方法,其特征在于:对所述初始版图中和所述第一掩模板图层未接触的所述主图形和所述器件辅助图形进行OPC修正时,需将所述第一掩模板图层作为OPC修正参考层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备