[发明专利]一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构

说明书

本发明属于高温硅钼棒生产技术领域，尤其是一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构，包括主壳体，所述主壳体的内部设置有空腔，且空腔的内壁设置有加热器B，所述加热器B成U型结构，所述空腔位于加热器B上方和下方的内壁均设置有加热器A，所述加热器A呈W型结构，所述加热器A和加热器B的两端均设置有加热器电极，所述加热器A的外壁设置有第一热偶，所述加热器B的外壁设置有第二热偶。本发明有效的实现了低成本高温度的设计，并且既可以在有氧环境使用，也可以在空气中使用，使用中无需密封、通气和真空保护加热器，加热器A与加热器B产品可以实现1700℃以下的加热能力，满足碳化硅的加热需求。

技术领域

本发明涉及高温硅钼棒生产技术领域，尤其涉及一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构。

背景技术

SiC作为第三代半导体材料的典型代表，是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。

SIC材料的扩散、氧化、退火等工艺过程其主要条件就是需要高温，高温加热炉膛是核心技术之一，现有的高温加热炉膛一般为第二代半导体设备，当需要加热高温为1400℃-2000℃，这是以往工作温度为800-1200℃的第二代半导体设备的加热器所不能实现的，所以亟需一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构来改变这一现状。

发明内容

基于现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构。其优点在于有效的实现了低成本高温度的设计，并且既可以在有氧环境使用，也可以在空气中使用，使用中无需密封、通气和真空保护加热器，加热器A与加热器B产品可以实现1700℃以下的加热能力，满足碳化硅的加热需求。

本发明提出的一种带门的高温硅钼棒加热炉膛结构，包括主壳体，所述主壳体的内部设置有空腔，且空腔的内壁设置有加热器B，所述加热器B成U型结构，所述空腔位于加热器B上方和下方的内壁均设置有加热器A，所述加热器A呈W型结构，所述加热器A和加热器B的两端均设置有加热器电极，所述加热器A的外壁设置有第一热偶，所述加热器B的外壁设置有第二热偶。

通过以上技术方案，由于加热器A呈W型结构，加热器B成U型结构，在加热器A和加热器B共同作用下能够起到良好的加热效果，有效的实现了低成本高温度的设计，并且既可以在有氧环境使用，也可以在空气中使用，使用中无需密封、通气和真空保护加热器，加热器A与加热器B产品可以实现1700℃以下的加热能力，满足碳化硅的加热需求；

本发明进一步设置为，所述主壳体的内壁设置有主体保温层，且主体保温层的材质为岩棉。

通过以上技术方案，岩棉材质的主体保温层能够减少热量从主壳体的四周散散发出去，提高了主壳体内部的保温效果。

本发明进一步设置为，所述主壳体的底部外壁开设有炉膛口，且炉膛口的内壁设置有炉管，所述炉管的底端设置有炉门，所述炉管的一端开设有进气孔，所述进气孔的内壁设置有进气管。

通过以上技术方案，炉管能够同轴套入炉膛口内进行使用，进气管能够方便空气进入至炉膛内，能够使得硅钼棒加热得更加的充分。

本发明进一步设置为，所述主壳体的一侧外壁开设有检修口，且检修口的内壁设置有炉门合页，所述主壳体通过炉门合页连接有炉门壳体。

通过以上技术方案，炉门壳体方便炉膛内部加热器A与加热器B的安装和维护。

本发明进一步设置为，所述炉门壳体为中空材质，且炉门壳体的内部设置有炉门保温层。

通过以上技术方案，炉门保温层能够从炉门壳体处对主壳体内进行保温，防止热量从炉门壳体处散发出去的情况发生。

本发明进一步设置为，所述炉门壳体远离炉门合页的一端设置有炉门螺栓，且炉门壳体通过炉门螺栓与主壳体相连接。

通过以上技术方案，通过炉门螺栓能够方便炉门壳体牢牢固定在主壳体上，提高了炉门壳体固定的稳定性。