[发明专利]一种突触晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种突触晶体管，包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极，其特征在于，所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维；所述绝缘层中固态电解质和纳米纤维的质量之比为(0.1～0.5)：(0.01～0.02)。

2.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述纳米纤维的原料包括聚环氧乙烷、聚丙烯腈、聚偏氟乙烯和石榴石型固态电解质中的一种或几种。

3.根据权利要求1或2所述的突触晶体管，其特征在于，所述纳米纤维的制备方法为静电纺丝，所述静电纺丝的工艺参数为：针头到收集装置的距离为15～17cm，湿度为30～40％，温度为20～30℃，纺丝液流速为0.5～1.0mL/s，电压为13～17kV。

4.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述固态电解质包括聚乙烯吡咯烷酮、环氧乙烷、壳聚糖、小麦淀粉、鱼胶原蛋白、明胶和木质纤维素中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10～200nm。

6.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述基板的材料包括硅片、二氧化硅、氮化硅、玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯或聚酰亚胺。

7.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述栅电极的材料包括Cu、Al、Au、Ag、Mo、W、Ni、Fe、Zn和Pt中的一种或者任意几种的复合金属；所述栅电极的厚度为10～300nm。

8.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述有源层的材料包括ZnO、InZnO和InGaN中的一种或几种；所述有源层的厚度为10～200nm。

9.根据权利要求1所述的突触晶体管，其特征在于，所述源电极和所述漏电极的材料独立地包括Cu、Al、Au、Ag、Mo、W、Ni、Fe、Zn和Pt中的一种或者任意几种的复合金属，所述源电极和所述漏电极的厚度均为10～300nm。

10.权利要求1～9任一项所述突触晶体管的制备方法，包括以下步骤：

(1)在基板上制备栅电极；

(2)将固态电解质、纳米纤维和水的混合溶液涂覆于所述步骤(1)制备的栅电极上，得到绝缘层；

(3)在所述步骤(2)得到的绝缘层上制备有源层；

(4)在所述步骤(3)制备的有源层上制备源电极和漏电极。