[发明专利]基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路

权利要求书

1.一种基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，包括上升沿窄脉冲产生电路、电平移位电路、滤波电路、T触发器、倍频电路、AND门、驱动电路、高压偏置端口、输出端口和高压浮动地端口；所述电平移位电路包括LDMOS功率晶体管、第零电阻和多个齐纳二极管；所述LDMOS功率晶体管的栅极连接所述上升沿窄脉冲产生电路的输出端；所述LDMOS功率晶体管的源极接地；所述第零电阻的一端与所述LDMOS功率晶体管的漏极连接，所述第零电阻的另一端与所述高压偏置端口连接；多个所述齐纳二极管同向串联构成钳位电路；所述钳位电路与所述第零电阻并联；位于所述钳位电路中一端的所述齐纳二极管的阳极连接所述LDMOS功率晶体管的漏极，位于所述钳位电路中另一端的所述齐纳二极管的阴极连接所述高压偏置端口；所述滤波电路的输入端连接所述LDMOS功率晶体管的漏极；所述滤波电路的输出端连接所述T触发器的CP端；所述所述T触发器的输出端连接所述倍频电路的输入端；所述倍频电路的输出端连接所述AND门的一个输入端口；所述AND门的输出端连接所述驱动电路的输入端；所述驱动电路的输出端连接所述输出端口；

其中，所述T触发器的T端与所述AND门的另一个输入端口连接所述高压偏置端口；

所述滤波电路、所述欠压保护电路、所述T触发器、所述倍频电路、所述AND门、所述驱动电路均分别接高压偏置端口和高压浮动地端口。

2.如权利要求1所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，还包括欠压保护电路；所述T触发器的T端与所述AND门的另一个输入端口通过所述欠压保护电路连接所述高压偏置端口。

3.如权利要求1所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，所述上升沿窄脉冲产生电路包括若干第一支电路和NOR门；所述第一支电路包括第一反相器、第一电阻和第一电容；所述第一反相器的输出端与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；所述第一支电路的输入端为所述第一反相器的输入端，所述第一支电路的输出端为所述第一电阻的另一端；若干所述第一支电路同向串联构成总第一支电路；所述总第一支电路的输入端与所述NOR门的一个输入端连接构成所述上升沿窄脉冲产生电路的输入端；所述总第一支电路的输出端与所述NOR门的另一个输入端连接；所述NOR门的输出端构成所述上升沿窄脉冲产生电路的输出端。

4.如权利要求3所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，所述上升沿窄脉冲产生电路还包括偶数个第三反相器；全部所述第三反相器同向串联，并与所述总第一支电路串联；所述总第一支电路的输入端通过所述第三反相器与所述NOR门的一个输入端连接；所述第三反相器与所述总第一支电路串联；所述第三反相器的输入端与所述总第一支电路的输出端连接；所述第三反相器的输出端与所述NOR门的一个输入端连接。

5.如权利要求3所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，所述上升沿窄脉冲产生电路还包括第四反相器；所述NOR门的输出端与所述第四反相器的输入端连接；所述第四反相器的输出端构成所述上升沿窄脉冲产生电路的输出端。

6.如权利要求1所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，所述倍频电路包括若干第二支路、XOR门和奇数个第六反相器；所述第二支电路包括第二反相器、第二电阻和第二电容；所述第二反相器的输出端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端连接所述高压浮动地端口；所述第二支电路的输入端为所述第二反相器的输入端，所述第二支电路的输出端为所述第二电阻的另一端；若干所述第二支电路同向串联构成总第二支电路；所述总第二支电路的输入端与所述XOR门的一个输入端连接构成所述倍频电路的输入端；所述XOR门的输出端构成所述倍频电路的输出端；全部所述第三反相器同向串联，并与所述总第二支电路串联；所述总第二支电路的输入端通过所述第六反相器与所述XOR门的一个输入端连接；所述第六反相器与所述总第一支电路串联；所述第六反相器的输入端与所述总第二支电路的输出端连接；所述第六反相器的输出端与所述XOR门的一个输入端连接。

7.如权利要求6所述的基于倍频原理的低功耗高侧驱动电路，其特征在于，所述倍频电路还包括第五反相器；所述XOR门的输出端与所述第五反相器的输入端连接；所述第五反相器的输出端构成所述倍频电路的输出端。