[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

堆叠结构，包括在基底上沿第一方向堆叠的多条金属线，所述多条金属线包括最上面的金属线；

半导体导线，位于所述多条金属线的最上面的金属线上，半导体导线包括半导体材料；

垂直结构，穿透半导体导线和堆叠结构，垂直结构包括沟道膜，并且沟道膜包括：上沟道膜；第一下沟道膜，在第一方向上延伸；以及上连接沟道膜，在半导体导线的下表面与最上面的金属线的下表面之间将上沟道膜和第一下沟道膜连接，上连接沟道膜在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及

第一切割线，穿过所述多条金属线和半导体导线，第一切割线包括：第一上切割线，穿过半导体导线；以及第一下切割线，穿过所述多条金属线，在半导体导线的下表面上第一上切割线的宽度比第一下切割线的侧壁的延伸线的宽度大。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一切割线不包括导电材料。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第一切割线包括：

第一芯切割线，穿透半导体导线和所述多条金属线；以及

第一侧壁切割线，位于第一芯切割线与半导体导线之间，第一侧壁切割线不位于第一芯切割线与所述多条金属线之间。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一切割线包括：

源极插塞图案，穿透半导体导线和所述多条金属线；以及

源极绝缘间隔件，沿着源极插塞图案的侧壁延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，垂直结构还包括填充由沟道膜限定的空间的垂直绝缘图案，垂直绝缘图案被上连接沟道膜划分成两部分。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中：

上连接沟道膜包括在第一方向上彼此间隔开的第一上连接沟道膜和第二上连接沟道膜，

第二上连接沟道膜比第一上连接沟道膜靠近半导体导线，并且

垂直绝缘图案被第一上连接沟道膜划分成两部分。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，垂直结构包括：

下沟道绝缘膜，位于第一下沟道膜与所述多条金属线之间，下沟道绝缘膜沿着第一下沟道膜延伸；以及

上沟道绝缘膜，位于上沟道膜与半导体导线之间，上沟道绝缘膜沿着上沟道膜延伸，并且下沟道绝缘膜的堆叠结构不同于上沟道绝缘膜的堆叠结构。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，半导体导线与上沟道绝缘膜接触。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，垂直结构还包括沿着沟道膜的轮廓连续的沟道绝缘膜。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，沟道膜还包括：

第二下沟道膜，在基底与第一下沟道膜之间沿第一方向延伸；以及

下连接沟道膜，连接第一下沟道膜和第二下沟道膜并在第二方向上延伸。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

连接垫，位于垂直结构上并与沟道膜接触；

防冲压膜和层间绝缘膜，顺序地放置在半导体导线上，防冲压膜包括与层间绝缘膜的材料不同的材料，并且防冲压膜的上表面与连接垫的上表面位于同一平面上；以及

连接插塞，穿透层间绝缘膜并连接到连接垫。