[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极结构和第二栅极结构，沿着方向对准；

第一金属层，设置在所述第一栅极结构上方；

第二金属层，设置在所述第二栅极结构上方；以及

栅极隔离结构，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间以及所述第一金属层和所述第二金属层之间延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离结构包括空隙。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述栅极隔离结构包括设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的下部和设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的上部，

其中，所述下部沿着所述方向的宽度大于所述上部沿着所述方向的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

第一自对准接触(SAC)介电层，在所述第一金属层上方；以及

第二SAC介电层，在所述第二金属层上方，

其中，所述上部还设置在所述第一SAC介电层和所述第二SAC介电层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一栅极结构设置在所述栅极隔离结构和介电鳍之间，

其中，所述第一金属层在所述介电鳍上方延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述栅极隔离结构是单层，

其中，所述介电鳍包括衬垫和在所述衬垫上方的填充层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第三金属层，设置在所述第一栅极结构和所述第一金属层之间，

其中，所述介电鳍与所述第一金属层直接接触。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

晶种层，夹在所述第一金属层和所述第三金属层之间。

9.一种半导体器件，包括：

第一多个沟道构件，所述第一多个沟道构件垂直堆叠；

第二多个沟道构件，所述第二多个沟道构件垂直堆叠；

第一栅极结构，设置在所述第一多个沟道构件中的每个上方并且包裹环绕所述第一多个沟道构件中的每个，所述第一栅极结构包括：

第一栅极介电层，和

第一电极层，在所述第一栅极介电层上方；

第二栅极结构，设置在所述第二多个沟道构件中的每个上方并且包裹环绕所述第二多个沟道构件中的每个，所述第二栅极结构包括：

第二栅极介电层，和

第二电极层，在所述第二栅极介电层上方；

第一金属层，设置在所述第一栅极结构上方；

第二金属层，设置在所述第二栅极结构上方；以及

栅极隔离结构，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间以及在所述第一金属层和所述第二金属层之间延伸，

其中，所述栅极隔离结构与所述第一电极层和所述第二电极层直接接触。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

第一介电鳍、第二介电鳍和第三介电鳍，

第一栅极结构，设置在所述第一介电鳍和所述第二介电鳍之间，和

第二栅极结构，设置在所述第二介电鳍和所述第三介电鳍之间；

在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构上选择性地沉积第一金属层；

选择性地去除所述第二介电鳍以形成隔离沟槽；以及

在所述隔离沟槽中沉积介电材料以形成栅极隔离结构。