[发明专利]被构造为增强UV灭菌的表面涂层以及制造表面涂层的方法

权利要求书

1.一种表面涂层，所述表面涂层被构造为使入射在表面涂层上的紫外光的紫外光密度局部增强，所述表面涂层包括：

介电层；

导电层，位于介电层上；

多个纳米开口，位于介电层和导电层中；

多条纳米天线，位于所述多个纳米开口中；以及

多个介电间隙，位于所述多条纳米天线与导电层之间，其中，导电层和所述多条纳米天线都包括紫外等离子体材料。

2.根据权利要求1所述的表面涂层，其中，所述多个介电间隙中的每个介电间隙具有10nm或更小的距离。

3.根据权利要求1所述的表面涂层，其中，紫外等离子体材料选自于由铝、镓、铟、锡、铊、铅、铋、镁、锗、氮化镓、氮化铝以及其组合组成的材料的组。

4.根据权利要求1所述的表面涂层，其中，介电层包括聚甲基丙烯酸甲酯。

5.根据权利要求1所述的表面涂层，其中，所述多条纳米天线中的每条纳米天线具有选自于由圆形、椭圆形、正方形、矩形和锥形组成的组的形状。

6.根据权利要求5所述的表面涂层，其中，所述多条纳米天线的平均直径在从20nm至500nm的范围内。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的表面涂层，其中，所述多条纳米天线中的至少一条纳米天线具有与所述多条纳米天线中的另一条纳米天线的形状或尺寸不同的形状或尺寸。

8.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的表面涂层，其中，所述多条纳米天线的周期性在从50nm至1,000nm的范围内。

9.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的表面涂层，其中，所述多个纳米开口和所述多条纳米天线设置为超过表面涂层的至少60％。

10.一种表面涂层，所述表面涂层被构造为使紫外光密度局部增强，所述表面涂层包括：

紫外等离子体材料的层，包括多条纳米天线；以及

介电图案，位于紫外等离子体材料的层中，介电图案使所述多条纳米天线中的相邻纳米天线彼此间隔开介电间隙。

11.根据权利要求10所述的表面涂层，其中，介电间隙具有10nm或更小的距离。

12.根据权利要求10所述的表面涂层，其中，紫外等离子体材料选自于由铝、镓、铟、锡、铊、铅、铋、镁、锗、氮化镓、氮化铝以及其组合组成的材料的组。

13.根据权利要求10所述的表面涂层，其中，介电图案具有选自于由网格线、条纹、V形线、锯齿图案、十字形图案以及其组合的形状的阵列组成的图案的组的图案。

14.根据权利要求10所述的表面涂层，其中，所述多条纳米天线的平均宽度在从20nm至500nm的范围内。

15.一种制造根据权利要求1所述的表面涂层的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上沉积第一聚合物和第二聚合物的混合物，第二聚合物自排列成多个斑点；

选择性地去除所述多个斑点以在由第一聚合物形成的介电层中形成所述多个纳米开口；以及

在介电层上和所述多个纳米开口中沉积紫外等离子体材料，所述紫外等离子体材料在所述多个纳米开口中形成所述多条纳米天线并且在介电层上形成导电层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，混合物的沉积步骤包括选自于由刷涂、喷涂、浸渍、气相沉积和印刷组成的组的工艺。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，紫外等离子体材料的沉积步骤包括紫外等离子体材料的电子束蒸发或分子束沉积。