[发明专利]基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法和图案化纳米晶体膜有效
| 申请号: | 202110193431.4 | 申请日: | 2021-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN113084353B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | 张昊;钟敏霖;李景虹;李馥;陈昶昊 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;B23K26/40;B23K26/402;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 肖阳 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 化学 纳米 晶体 激光 图案 方法 | ||
1.一种基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,包括:
(1)纳米晶体膜的制备:将纳米晶体、热敏分子、溶剂混合,得到涂布液,利用所述涂布液制备得到的纳米晶体膜;其中,所述纳米晶体表面具有原始配体,所述热敏分子为热敏交联型分子或热敏分解型分子;所述热敏交联型分子中具有多个叠氮基;所述热敏分解型分子选自1,2,3,4-噻三唑-5-硫醇盐、二硫代氨基甲酸铵、乙基二硫代碳酸钾、1-甲基-5-巯基-1H-四氮唑、丁基二硫氨基甲酸盐中的至少之一;
(2)激光热致图案化:采用聚集激光束辐照所述纳米晶体膜的预定部位,使所述预定部位的纳米晶体膜发生配体热化学反应,丧失胶体稳定性;
(3)溶剂洗脱:采用溶剂对所述纳米晶体膜进行洗脱,以便得到纳米晶体图案,
所述原始配体选自油酸、油胺、十八胺、三辛基膦、十八烷基膦酸中的至少之一,
所述热敏交联型分子具有如式I所示的结构:
其中,各X分别独立地为F或烷基,且至少一个X为F,R为烷基、芳基或连接有的烷基的酯键,n为大于等于2的整数。
2.根据权利要求1所述的基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,所述纳米晶体为II-VI族纳米晶体、III-V族纳米晶体、IV-VI族纳米晶体、壳核结构量子点纳米晶体、金属纳米晶体或金属氧化物纳米晶体。
3.根据权利要求2所述的基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,所述II-VI族纳米晶体选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdxZn1-xSe、CdxZn1-xS、HgxCd1-xS、HgxCd1-xSe、HgxCd1-xTe、HgxZn1-xTe中的至少之一,其中0x1;
或者,所述III-V族纳米晶体选自InP、InAs、InN、InSb、InAs1-xSbx、GaAs、GaN、GaP、GaSb、AlN、AlP、AlAs中的至少之一,其中0x1;
或者,所述IV-VI族纳米晶体选自PbS、PbSe、PbTe中的至少之一;
或者,所述壳核结构量子点纳米晶体选自CdSe/ZnS、CdSe/CdS、CdTe/CdSe、PbS/CdS、ZnSe/CdS、ZnSe/CdSe、CuInS2/CuInS2、CuInS2/ZnS、HgSe/CdS、HgSe/CdSe、HgSe/CdSe/CdS、Cd1-xZnxS/ZnS中的至少之一,其中0x1;
或者,所述金属纳米晶体选自Au、FePt中的至少之一;
或者,所述金属氧化物纳米晶体选自CeO2、ZrO2、Fe3O4中的至少之一。
4.根据权利要求1所述的基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,
所述热敏交联型分子为双(4-叠氮-2,3,5,6-四氟代苯甲酸基)乙二醇酯。
5.根据权利要求1所述的基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,所述纳米晶体与所述热敏交联型分子的质量比为30:(0.1~10);
或者,所述纳米晶体与所述热敏分解型分子的质量比为5:(4~30)。
6.根据权利要求1所述的基于配体化学的纳米晶体激光热致图案化方法,其特征在于,所述热敏分子为热敏交联型分子,所述溶剂为非极性溶剂,所述涂布液中纳米晶体的浓度为1~1200mg/mL;
或者,所述热敏分子为热敏分解型分子,所述溶剂为极性溶剂,所述涂布液中纳米晶体的浓度为25~50mg/mL。
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