[发明专利]面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法

权利要求书

1.一种面向集成电路互连电容提取的多介质格林函数预刻画方法，其特征在于，包括：

根据给定的集成电路互连工艺信息，利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，对若干种含多介质层的转移立方体进行压缩形式的预刻画，获得压缩的预刻画数据；其中，所述预刻画数据包括：含两层介质层转移区域的转移概率分布GFT、以及相应权值分布数据WVT；

基于所述压缩的预刻画数据对多层介质互连结构进行随机行走电容参数提取；

所述根据给定的集成电路互连工艺信息，利用立方体转移区域格林函数表的几何对称性，对若干种含多介质层的转移立方体进行压缩形式的预刻画，获得压缩的预刻画数据，包括：

S11，获取给定的集成电路互连工艺信息之中的集成电路介质层信息，假设不同介质交界面都是水平的；

S12，构建一个单位长度的转移立方体区域，且假定所述转移立方体区域的边界被分割成n份，其中所述n为偶数；

S13，在所述转移立方体区域内部垂直平面P1和垂直平面P3处使用对称电势条件，对三棱柱子区域应用有限差分法计算GFT和z方向的WVT；其中，所述三棱柱子区域由转移立方体的正侧面、底面、顶面和面M₃围成的，所述面M₃为所述转移立方体内垂直于所述底面的对角面；

S14，在所述转移立方体区域内部垂直平面P1处使用反对称差分公式，在所述垂直平面P2处使用对称差分公式，对长方体子区域应用有限差分法计算余下x方向的WVT，并根据所述x方向的WVT确定y方向的WVT；其中，所述长方体子区域由所述转移立方体的正侧面、左侧面、所述底面、所述顶面和面M₁、面M₂围成的，所述面M₁为通过所述转移立方体的中心且平行于所述转移立方体前侧面的面，所述面M₂为通过所述转移立方体的中心且平行于所述转移立方体左侧面的面；

S15，将算得的GFT和WVT存入数据库，以实现将所述预刻画数据的存储量进行压缩。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三棱柱子区域占所述转移立方体区域总体积的八分之一；所述长方体子区域占所述转移立方体区域总体积的四分之一。