[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体管芯层，具有有源表面；

导电接触件，通过再分布层电连接至所述有源表面，所述导电接触件的侧壁由绝缘层围绕；以及

焊料凸块，连接至所述导电接触件，

其中，晶种层位于所述导电接触件的所述侧壁和所述绝缘层之间，其中，所述再分布层与所述绝缘层位于所述导电接触件的相对两侧，所述再分布层中的第一金属线的一部分与所述导电接触件纵向上重叠，所述第一金属线的另一部分与所述有源表面纵向上重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电接触件还包括从所述绝缘层突出并且连接至所述焊料凸块的台状件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导电接触件包括绝缘通孔(TIV)。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，还包括第二半导体管芯层，通过位于所述第一半导体管芯层的无源表面上方的所述焊料凸块电连接至所述导电接触件。

5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体管芯层包括动态随机存取存储器(DRAM)。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述侧壁包括锥形。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体管芯层包括芯片上硅(SOC)管芯。

8.一种半导体封装件，包括：

第一半导体管芯层，具有有源表面；

导电接触件，通过RDL电连接至所述有源表面，所述导电接触件的侧壁由绝缘层围绕；以及

焊料凸块，连接至所述导电接触件，

其中，晶种层位于所述导电接触件的所述侧壁和所述绝缘层之间，

其中，所述导电接触件包括再分布层(RDL)的第一通孔，

所述第一通孔与所述有源表面位于所述第一半导体管芯层的同一侧，并且所述第一通孔与所述有源表面在纵向上重叠。

9.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方形成第一半导体管芯层，包括：

在所述绝缘层中形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成导电接触件；和

在所述绝缘层上方放置第一半导体管芯，在所述第一半导体管芯上方形成再分布层；

将所述载体从所述绝缘层脱粘；以及

通过蚀刻操作从所述绝缘层暴露所述导电接触件，其中，在所述浅沟槽中形成所述导电接触件还包括形成用于电镀操作的晶种层，

其中，所述再分布层中的第一金属线的一部分与所述导电接触件纵向上重叠，所述第一金属线的另一部分与所述第一半导体管芯层的有源表面纵向上重叠。

10.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上方形成第一半导体管芯层，包括：

在所述载体上方形成第一聚合物层；

在所述第一聚合物层中形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成导电接触件；和

在所述第一聚合物层上方放置第一半导体管芯；

将所述载体从所述第一聚合物层脱粘；以及

通过蚀刻操作从所述第一聚合物层暴露所述导电接触件，其中，在所述浅沟槽中形成所述导电接触件还包括形成用于电镀操作的晶种层，

其中，所述第一聚合物层和所述导电接触件是第一再分布层(RDL)的部分，

所述导电接触件与所述聚合物层的有源表面位于所述第一半导体管芯层的同一侧，并且所述导电接触件与所述有源表面在纵向上重叠。