[发明专利]2T1C铁电随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过切通第一晶体管使铁电随机存取存储器(F-RAM)单元的储存节点(SN)放电，所述第一晶体管具有耦合到所述SN的第一源极-漏极(SD)端子和耦合到位线(BL)的第二SD端子；

通过将具有峰值电压V1的第一电压脉冲施加到铁电容器的板线来生成所述BL上的数据电压，所述铁电容器耦合在所述板线和所述SN之间；

通过关断所述第一晶体管将所述BL从所述SN去耦；

通过切通第二晶体管使所述SN放电，所述第二晶体管具有耦合到所述SN的第一源极-漏极(SD)端子和耦合到参考位线(BLB)的第二SD端子；以及

通过将具有峰值电压V2的第二电压脉冲施加到所述板线来生成所述BLB上的参考电压，所述BLB上的参考电压是从所述F-RAM单元的所述铁电容器的U期导出的。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过关断所述第二晶体管将所述BLB从所述SN去耦；以及

将所述BL上的数据电压和所述BLB上的参考电压耦合到感测放大器(SA)以读取存储在所述F-RAM单元中的数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将具有所述峰值电压V2的所述第二电压脉冲施加到所述板线还用作清除脉冲以强化所述铁电容器中的所述U期。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，V2大于V1。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在使所述SN放电之前将所述BL耦合到位线预充电电路，并将所述BL预充电到预定电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使所述SN放电包括通过所述位线预充电电路使所述SN放电。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在施加所述第一电压脉冲之前将所述BL从所述位线预充电电路去耦，并且其中，所述位线预充电电路在所述第一电压脉冲和所述第二电压脉冲之间的时间期间保持与所述位线去耦。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，位线电容基本上等于参考位线电容。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，位线电容大于参考位线电容。

10.一种方法，包括：

通过切通第一晶体管使铁电随机存取存储器(F-RAM)单元的储存节点(SN)放电，所述第一晶体管具有耦合到所述SN的第一源极-漏极(SD)端子和耦合到位线(BL)的第二SD端子；

通过将具有峰值电压V1的数据脉冲施加到铁电容器的板线来生成所述BL上的数据电压，所述铁电容器耦合在所述板线和所述SN之间；

通过关断所述第一晶体管将所述BL从所述SN去耦；

通过切通第二晶体管使所述SN放电，所述第二晶体管具有耦合到所述SN的第一源极-漏极(SD)端子和耦合到参考位线(BLB)的第二SD端子；以及

通过将参考脉冲施加到所述板线并将所述参考脉冲的电压从小于V1的电压扫描到大于V1的峰值电压V2来生成所述BLB上的参考电压，所述BLB上的参考电压是从所述F-RAM单元的所述铁电容器的U期导出的；

通过关断所述第二晶体管将所述BLB从所述SN去耦；以及

将所述BL上的数据电压和所述BLB上的参考电压耦合到感测放大器(SA)以读取存储在所述F-RAM单元中的数据，

其中，将所述参考脉冲施加到所述板线还用作清除脉冲以强化所述铁电容器中的所述U期。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在使所述SN放电之前将所述BL耦合到位线预充电电路，并将所述BL预充电到预定电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，使所述SN放电包括通过所述位线预充电电路使所述SN放电。