[发明专利]一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉在审

专利信息
申请号: 202110191534.7 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN112833660A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 宋立禄;张海林;吴季浩;刘国霞;滕玉朋 申请(专利权)人: 青岛赛瑞达电子装备股份有限公司
主分类号: F27B1/00 分类号: F27B1/00;F27B1/10;F27B1/20;F27B1/21;F27B1/26;F27D1/18;H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 集成电路 立式 扩散 氧化
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,包括设备架体(13),其特征在于,所述设备架体(13)内后端设有加热炉体(1),所述加热炉体(1)底部设有旋开炉门(2),所述加热炉体(1)底端一侧设有升降炉门直线单元(15),所述升降炉门直线单元(15)安装在设备架体(13)内,所述升降炉门直线单元(15)靠近加热炉体(1)一侧底端连接有升降炉门(6),所述升降炉门(6)顶面设有晶圆舟(4);

所述升降炉门直线单元(15)达到最低工作位时,所述旋开炉门(2)处于炉门的关闭位置,用于阻止炉口处温度流失,所述旋开炉门(2)临时封堵加热炉体(1)炉口,用于阻止加热炉体(1)内热能流失;

所述升降炉门直线单元(15)达到上限位时,所述晶圆舟(4)位于加热炉体(1)内,所述升降炉门(6)与加热炉体(1)炉口密封连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述设备架体(13)前表面中部设置有操作面板(14),设备架体(13)内底端设置有进料理片单元(10),所述进料理片单元(10)顶部相对定位设置片盒(7),片盒(7)内存放8″晶片。

3.根据权利要求2所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述操作面板(14)可单独做成开门结构,方便操作面板(14)方形安装孔上安装操作控制屏。

4.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述片盒(7)的后表面设置有片盒传输机械手直线单元(12),所述片盒传输机械手直线单元(12)由升降移动单元和底部的左右移动单元组合而成,所述片盒传输机械手直线单元(12)远离进料理片单元(10)一侧分别设有上片盒储存库(11)与下片盒储存库(8),所述下片盒储存库(8)位于上片盒储存库(11)底端。

5.根据权利要求4所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述片盒传输机械手直线单元(12)能够在上片盒储存库(11)和下片盒储存库(8)一侧移动。

6.根据权利要求5所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述片盒传输机械手直线单元(12)支撑安装有片盒传输机械手(9);片盒传输机械手(9)活动范围大于180度。

7.根据权利要求6所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:所述下片盒储存库(8)远离片盒传输机械手直线单元(12)一侧设有插片机械手直线单元(16);插片机械手直线单元(16)位于加热炉体(1)一侧底端,所述插片机械手直线单元(16)支撑安装有插片机械手(5),所述插片机械手(5)活动范围大于180度。

8.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路用立式扩散氧化炉,其特征在于:设备架体(13)后表面一侧设有电控箱体(3),所述电控箱体(3)与升降炉门直线单元(15)相对设置,用于安装本设备的电控器件。

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