[发明专利]有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物

权利要求书

1.一种有机膜形成用材料，其特征为：含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂；

上述通式(1A)中，W₁表示4价有机基团，W₂表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R₁表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系；

R₂及R₃各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R₂与有机基团R₃亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。

2.根据权利要求1所述的有机膜形成用材料，其中，上述通式(1A)中的该有机基团W₁为下式(1C)表示者；

上述式(1C)中的W₃为单键或2价有机基团，上述式(1C)中的苯环上亦可具有取代基，苯环上的取代基与W₃中的有机基团也可键结并形成环状有机基团。

3.根据权利要求1所述的有机膜形成用材料，其中，上述通式(1A)中的该有机基团W₁为下式(1D)中的任一者表示者；

上述式中的芳香环上亦可具有取代基。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料，其中，上述通式(1A)中的该连接基团W₂为下式(1E)表示者；

W₂＝--CH₂-- (1E)。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料，其中，该聚合物的重均分子量为1000～10000。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料，其中，该聚合物是具有上述通式(1A)表示的部分结构的酚醛清漆树脂。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料，其中，该有机溶剂是1种以上的沸点未达180℃的有机溶剂与1种以上的沸点为180℃以上的有机溶剂的混合物。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的有机膜形成用材料，更含有表面活性剂及塑化剂中的1种以上。

9.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用材料形成有机膜，

于该有机膜之上使用含硅抗蚀剂下层膜材料形成含硅抗蚀剂下层膜，

于该含硅抗蚀剂下层膜之上使用光致抗蚀剂组成物形成抗蚀剂上层膜，

于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，

以该已形成图案的该抗蚀剂上层膜作为掩膜，对该含硅抗蚀剂下层膜进行蚀刻，将图案转印至该含硅抗蚀剂下层膜，

以该转印有图案的该含硅抗蚀剂下层膜作为掩膜，对该有机膜进行蚀刻，将图案转印至该有机膜，

进一步，以该转印有图案的该有机膜作为掩膜，对该被加工体进行蚀刻，于该被加工体形成图案。

10.一种图案形成方法，其特征为：

于被加工体上使用根据权利要求1至8中任一项所述的有机膜形成用材料形成有机膜，

于该有机膜之上使用含硅抗蚀剂下层膜材料形成含硅抗蚀剂下层膜，

于该含硅抗蚀剂下层膜之上形成有机抗反射膜，

于该有机抗反射膜上使用光致抗蚀剂组成物形成抗蚀剂上层膜，而制成4层膜结构，

于该抗蚀剂上层膜形成电路图案，

以该已形成图案的该抗蚀剂上层膜作为掩膜，对该有机抗反射膜与该含硅抗蚀剂下层膜进行蚀刻，将图案转印至该有机抗反射膜及该含硅抗蚀剂下层膜，

以该转印有图案的该含硅抗蚀剂下层膜作为掩膜，对该有机膜进行蚀刻，将图案转印至该有机膜，

进一步，以该转印有图案的该有机膜作为掩膜，对该被加工体进行蚀刻，于该被加工体形成图案。