[发明专利]有机发光显示装置在审
| 申请号: | 202110190071.2 | 申请日: | 2015-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN113013206A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
| 发明(设计)人: | 崔光赫;李清;金炫准;金慧暎;吴相宪;全星庆;曺奎哲 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基体;
下基底,位于所述基体之上;
第二阻挡层,位于所述基体与所述下基底之间,所述第二阻挡层包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种;
薄膜晶体管,位于所述下基底之上,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;
有机发光器件,包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层,其中,所述第一电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个;以及
像素限定层,位于所述第一电极上并且包括暴露所述第一电极的上表面的开口,
其中,所述基体和所述下基底中的每个包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二阻挡层包括两个或更多个层,并且所述两个或更多个层中的至少一个包括从由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中选择的至少一种。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括位于所述下基底与所述有机发光器件之间的第一阻挡层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,所述第一阻挡层包括金属氮化物、金属氧化物、无机材料或金属薄膜。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,所述第一阻挡层包括AlOx、TiOx、SiOx、AlNx、AlON、TiNx、TiONx、SiNx、SiONx、Al、Ti、Mo、Ag、Cu、Fe、Cr、Ni、Zn或Sn。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括位于所述下基底与所述第二阻挡层之间的粘合层。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中,所述粘合层包括永久粘合剂或临时粘合剂。
8.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
基体;
下基底,位于所述基体之上;
第二阻挡层,位于所述基体与所述下基底之间,所述第二阻挡层包括无机材料;
第一阻挡层,位于所述下基底之上,所述第一阻挡层包括无机材料;
薄膜晶体管,位于所述第一阻挡层之上,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极以及源电极和漏电极;
有机发光器件,包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层,其中,所述第一电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个;以及
像素限定层,位于所述第一电极上并且包括暴露所述第一电极的上表面的开口。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述第一阻挡层包括金属氮化物、金属氧化物、无机材料或金属薄膜。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述第一阻挡层包括AlOx、TiOx、SiOx、AlNx、AlON、TiNx、TiONx、SiNx、SiONx、Al、Ti、Mo、Ag、Cu、Fe、Cr、Ni、Zn或Sn。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括位于所述下基底与所述第二阻挡层之间的粘合层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,所述粘合层包括永久粘合剂或临时粘合剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





