[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其具备：

等离子体处理腔室；

基板支承器，配置于所述等离子体处理腔室内且包括电极；

偏置电源，与所述电极结合，构成为产生具有第1频率的偏置电力；及

高频电源，与所述等离子体处理腔室结合，构成为产生具有比所述第1频率高的第2频率的高频电力，所述高频电力在所述偏置电力的一个周期内的第1期间具有第1功率电平，在所述偏置电力的一个周期内的第2期间具有比所述第1功率电平低的第2功率电平。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述偏置电力在所述偏置电力的一个周期内包括至少一个偏置脉冲。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲具有矩形、梯形、三角形或它们的组合的脉冲波形。

4.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲具有整形脉冲。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲具有正极性或负极性。

6.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲包括具有正极性和/或负极性的多个偏置脉冲。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲在所述第1期间及所述第2期间不被供给。

8.根据权利要求2至6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述至少一个偏置脉冲在所述第1期间被供给，在所述第2期间不被供给。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述偏置电力是具有所述第1频率的高频偏置电力。

10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其还具备：

匹配器，连接在所述偏置电源与所述电极之间。

11.根据权利要求2至10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述高频电力在所述偏置电力的一个周期内的所述第1期间与所述第2期间之间的第3期间，具有比所述第1功率电平及所述第2功率电平低的第3功率电平。

12.根据权利要求2至10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述高频电力在所述偏置电力的一个周期内的所述第2期间之后的第4期间，具有比所述第1功率电平及所述第2功率电平低的第4功率电平。

13.一种在等离子体处理装置中使用的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、配置于所述等离子体处理腔室内且包括下部电极的基板支承器及配置于所述下部电极的上方的上部电极，该等离子体处理方法包括：

将基板载置于所述基板支承器上的工序；

将具有第1频率的偏置电力供给至所述下部电极的工序；及

将具有比所述第1频率高的第2频率的高频电力供给至所述上部电极或所述下部电极的工序，所述高频电力在所述偏置电力的一个周期内的第1期间具有第1功率电平，在所述偏置电力的一个周期内的第2期间具有比所述第1功率电平低的第2功率电平。