[发明专利]一种光学器件测试结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110189580.3 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113009624A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 杨妍;张鹏;孙富君;唐波;李彬;刘若男;谢玲;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/42;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 谷波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 器件 测试 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种光学器件测试结构，其特征在于，包括：
基底；以及
在所述基底上形成的器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；
其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域。
2.根据权利要求1所述的光学器件测试结构，其特征在于，所述端面耦合器为倒锥形端面耦合器或悬臂梁型端面耦合器。
3.根据权利要求1所述的光学器件测试结构，其特征在于，所述基底包括：硅衬底，以及在所述硅衬底上形成的埋氧层，所述器件层形成于所述埋氧层上。
4.根据权利要求3所述的光学器件测试结构，其特征在于，所述埋氧层的制作材料为氧化硅。
5.根据权利要求1所述的光学器件测试结构，其特征在于，还包括：在所述器件层上形成的上包层。
6.根据权利要求5所述的光学器件测试结构，其特征在于，所述上包层的制作材料为氧化硅。
7.一种光学器件测试结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括：硅衬底，以及在所述硅衬底上形成的埋氧层；
在所述埋氧层上形成器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域；
在所述器件层上形成上包层；
在所述基底上待制作划片深槽的区域进行划片深槽刻蚀，依次刻蚀掉该区域的上包层、光栅耦合器、埋氧层，以及刻蚀掉预设深度的硅衬底。
8.根据权利要求7所述的光学器件测试结构的制作方法，其特征在于，所述端面耦合器为倒锥形端面耦合器或悬臂梁型端面耦合器。
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