[发明专利]一种晶圆的清洗方法及实现其的装置

权利要求书

1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述晶圆以第一转速旋转的情况下，使用第一清洗液对所述晶圆进行第一清洗处理；以及

在所述晶圆以第二转速旋转的情况下，使用通入有CO₂气体的第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗处理，其中，所述第二转速小于所述第一转速。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一转速为400-600rpm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二转速为40-60rpm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一清洗液包括氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水或去离子水中的任意一种或多种混合后形成的溶液。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一清洗液中通入有N₂气体，所述N₂气体的流量范围为40-80ssml。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一清洗液中通入有CO₂气体，所述CO₂气体的流量范围为5-10ssml。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，使用所述第一清洗液对所述晶圆进行所述第一清洗处理的步骤包括：

将所述晶圆在所述第一转速下冲洗20-30s。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二清洗液包括氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水或去离子水中的任意一种或多种混合后形成的溶液。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，通入所述第二清洗液的所述CO₂气体的流量范围为10-15ssml。

10.根据权利要求1或3所述的方法，其中，使用通入有所述CO₂气体的所述第二清洗液对所述晶圆进行所述第二清洗处理的步骤包括：

将所述晶圆在所述第二转速下冲洗20-40s。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二清洗处理之后，还包括使所述晶圆以第三转速旋转，以对所述晶圆进行甩干操作。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第三转速为1000-2000rpm。

13.一种晶圆的清洗装置，包括驱动器、晶圆放置部和清洗器，其特征在于，所述装置还包括：

控制器，配置为：

控制所述驱动器驱动所述晶圆放置部以第一转速旋转，并控制所述清洗器使用第一清洗液对设置在所述晶圆放置部上的所述晶圆进行第一清洗处理；以及

在进行所述第一清洗处理预定时间后，控制所述驱动器驱动所述晶圆放置部以第二转速旋转，并控制所述清洗器使用通入有CO₂气体的第二清洗液对设置在所述晶圆放置部上的所述晶圆进行第二清洗处理，其中，所述第二转速小于所述第一转速。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述第一转速为400-600rpm。

15.根据权利要求13或14所述的装置，其中，所述第二转速为40-60rpm。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述装置还包括清洗剂添加器，所述清洗剂添加器被配置为向所述清洗器提供所述第一清洗液，所述第一清洗液包括由氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、双氧水、氨水或去离子水中的任意一种或多种混合后形成的溶液。