[发明专利]温度传感器、存储器装置和用于控制该温度传感器的方法在审

专利信息
申请号: 202110188656.0 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN113782085A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 崔皙焕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/02 分类号: G11C29/02;G11C29/50
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 温度传感器 存储器 装置 用于 控制 方法
【说明书】:

本申请涉及温度传感器、存储器装置和用于控制该温度传感器的方法。提供了一种温度传感器和控制该温度传感器的方法。该温度传感器包括:电压发生器,该电压发生器适于生成具有根据温度确定的电压电平的温度电压和具有独立于温度变化的恒定电压电平的基准电压;代码生成器,该代码生成器适于基于温度电压和基准电压来生成初始代码;以及代码校准器,该代码校准器适于基于初始代码和校准因子来生成校准代码。

技术领域

各种实施方式总体上涉及电子装置,并且更具体地,涉及一种具有温度传感器的电子装置以及该电子装置的控制方法。

背景技术

存储器装置可以存储数据。存储器装置通常分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在没有供电的情况下丢失所存储的数据。易失性存储器装置可以包括例如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和/或同步DRAM(SDRAM)。

非易失性存储器装置在没有供电的情况下保留所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括闪存装置、只读存储器(ROM)装置、可编程ROM(PROM)装置、电可编程ROM(EPROM)装置、电可擦除可编程ROM(EEPROM)装置、相变RAM(PRAM)装置、电磁RAM(MRAM)装置、电阻RAM(RRAM)装置和铁电RAM(FRAM)装置。闪存通常分为NOR型存储器或NAND型存储器。

存储器装置可以包括提供针对存储器装置的最佳性能的温度信息的数字温度传感器(DTS)。因为从DTS提供的温度信息是为了优化存储器装置,所以提供的温度信息应具有高的精度。

然而,由于DTS中的用于根据温度产生电压的模拟电路、用于将产生的电压转换成数字信号的模数转换器(ADC)以及外围电路所产生的变量,导致可能存在针对相同的温度,芯片不会输出相同的代码的误差。该误差通常可能以两种类型出现,即,偏移误差和增益误差。通常,这两种类型的误差可能同时出现。

发明内容

根据一个实施方式,一种温度传感器可以包括:电压发生器,该电压发生器适于生成具有根据温度确定的电压电平的温度电压和具有独立于温度变化的恒定电压电平的基准电压;代码生成器,该代码生成器适于基于温度电压和基准电压来生成初始代码;以及代码校准器,该代码校准器适于基于初始代码和校准因子来生成校准代码。

根据一个实施方式,一种控制温度传感器的方法可以包括以下步骤:生成具有根据温度确定的电压电平的温度电压以及基准电压,其中,所述基准电压具有独立于温度变化的恒定电压电平。该方法还可以包括以下步骤:基于温度电压和基准电压来生成初始代码;以及基于初始代码和校准因子来生成校准代码。

根据一个实施方式,一种控制温度传感器的方法可以包括以下步骤:基于在第一温度下感测到的电压电平来生成第一测试代码;基于在低于第一温度的第二温度下感测到的电压电平来生成第二测试代码;在计算出第一测试代码和第二测试代码的范围之后,基于计算出的范围来计算增益调整量;以及通过将第一测试代码和根据第一温度预先确定的第一目标代码进行比较来计算偏移调整量。

根据一个实施方式,一种用于对包括的存储器单元执行内部操作的存储器装置,该存储器装置可以包括:电压发生器,该电压发生器适于测量所述存储器装置的内部温度并且生成具有根据所述内部温度确定的电压电平的温度电压和具有独立于温度变化的恒定电压电平的基准电压;代码生成器,该代码生成器适于基于温度电压和基准电压来生成初始代码;以及代码校准器,该代码校准器适于基于初始代码和校准因子来生成校准代码。

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