[发明专利]光纤耦合半导体激光器和光纤耦合方法在审
申请号: | 202110188123.2 | 申请日: | 2021-02-10 |
公开(公告)号: | CN114911013A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 罗宁一;杨建明 | 申请(专利权)人: | 维林光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 逯长明;许伟群 |
地址: | 215024 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤 耦合 半导体激光器 方法 | ||
1.一种光纤耦合半导体激光器,其特征在于,包括:
半导体激光二极管,用于发射激光;
慢轴准直透镜,接受所述半导体激光二极管发射的激光并对其进行准直处理,形成平行光斑;
半波片,所述半波片的上边缘与所述平行光斑的中心位置对齐;
双折射晶体,两表面相互平行,并位于所述半波片之后;且所述双折射晶体的中心轴线与所述平行光斑的中心位置对齐;
所述平行光斑由其中心位置分为上半部分慢轴准直光和下半部分慢轴准直光,所述上半部分慢轴准直光经由所述双折射晶体后,光的偏转方向保持不变,仍为s光;所述下半部分慢轴准直光经由所述半波片,光的偏转方向旋转90°,形成p光;
所述s光和所述p光经过所述双折射晶体出现e光相对于o光的横向走离,出射后的准直光相对于入射时光宽减小。
2.如权利要求1所述的一种光纤耦合半导体激光器,其特征在于,所述双折射晶体的e光的横向走离量设为所述平行光斑的一半,以便出射后的准直光相对于入射时光宽减小一半。
3.如权利要求1或2所述的一种光纤耦合半导体激光器,其特征在于,所述光纤耦合半导体激光器包括:
快轴准直透镜,设于所述双折射晶体之后,并位于耦合透镜之前,经由所述双折射晶体聚焦出射后的光经由所述快轴准直透镜后射出;
耦合透镜,设于所述快轴准直透镜之后;经由所述快轴准直透镜后的光再经所述耦合透镜进行耦合后射出。
4.如权利要求1或2所述的一种光纤耦合半导体激光器,其特征在于,所述光纤耦合半导体激光器包括:
快轴准直透镜,设于所述慢轴准直透镜之后,所述双折射晶体之前;经由所述慢轴准直透镜出射后的平行光斑再经由所述快轴准直透镜后射出;
耦合透镜,设于双折射晶体之后;经由所述双折射晶体出射的光再经所述耦合透镜进行耦合后射出。
5.一种应用光纤耦合半导体激光器的光纤耦合方法,其特征在于,包括如下步骤:
用半导体激光二极管发射激光;
通过慢轴准直透镜接受所述半导体激光二极管发射的激光并对其进行准直处理,形成平行光斑;
设置半波片的上边缘与所述平行光斑的中心位置对齐;
使得平表面相互平行的双折射晶体位于所述半波片之后;并使得所述双折射晶体的中心轴线与所述平行光斑的中心位置对齐;
所述平行光斑由其中心位置分为上半部分慢轴准直光和下半部分慢轴准直光,所述上半部分慢轴准直光经由所述双折射晶体后,光的偏转方向保持不变,仍为s光;所述下半部分慢轴准直光经由所述半波片,光的偏转方向旋转90°,形成p光;
所述s光和所述p光经过所述双折射晶体出现e光相对于o光的横向走离,出射后的准直光相对于入射时光宽减小。
6.如权利要求5所述的一种应用光纤耦合半导体激光器的光纤耦合方法,其特征在于,所述双折射晶体的e光的横向走离量设为所述平行光斑的一半,以使得出射后的准直光相对于入射时光宽减小一半。
7.如权利要求5或6所述的一种应用光纤耦合半导体激光器的光纤耦合方法,其特征在于,
使得快轴准直透镜设于所述双折射晶体之后,并位于耦合透镜之前,经由所述双折射晶体聚焦出射后的光经由所述快轴准直透镜后射出;
使得耦合透镜设于所述快轴准直透镜之后;经由所述快轴准直透镜后的光再经所述耦合透镜进行耦合后射出。
8.如权利要求5或6所述的一种应用光纤耦合半导体激光器的光纤耦合方法,其特征在于,
使得快轴准直透镜设于所述慢轴准直透镜之后,所述双折射晶体之前;经由所述慢轴准直透镜出射后的平行光斑再经由所述快轴准直透镜后射出;
使得耦合透镜设于双折射晶体之后;经由所述双折射晶体出射的光再经所述耦合透镜进行耦合后射出。
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