[发明专利]一种mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺

权利要求书

1.一种mxenes聚合物介电复合材料，其特征在于：所述介电复合材料由作为填料的Ti₃C₂T_x与作为基质的P（VDF-TrFE）组成，所述Ti₃C₂T_x占介电复合材料的8-12wt.%；所述介电复合材料由两层Ti₃C₂T_x与P（VDF-TrFE）制成的薄膜采用PC热压而成；所述P（VDF-TrFE）为配比65/35或70/30或75/25的P（VDF-TrFE）共聚物。

2.根据权利要求1所述的一种mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

步骤a：制备Ti₃C₂T_x悬浮液和P（VDF-TrFE）溶液；

步骤b：将Ti₃C₂T_x悬浮液和P（VDF-TrFE）溶液按照比例混合均匀形成混合液；

步骤c：将混合液浇铸在基板上，并干燥制备薄膜；

步骤d：将两层薄膜采用PC热压形成介电复合材料。

3.如权利要求2所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：所述Ti₃C₂T_x的制备工艺包括以下步骤：

步骤a1：采用钛、TiC和Al制备Ti₃AlC₂；

步骤a2：将Ti₃AlC₂加入到HCl和LiF的混合溶液中反应得到Ti₃C₂混合液；

步骤a3：离心洗涤Ti₃C₂混合液得到Ti₃C₂溶液；

步骤a4：对Ti₃C₂溶液进行超声处理得到Ti₃C₂T_x水悬浮液。

4.如权利要求3所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：将Ti₃C₂T_x水悬浮液与沸点大于水的有机溶液混合，加热蒸发水得到Ti₃C₂T_x悬浮液。

5.如权利要求2所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：将P（VDF-TrFE）与有机溶液混合得到P（VDF-TrFE）溶液。

6.如权利要求4或5所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：所述有机溶剂为DMF或DMAc或DMSO或NMP。

7.如权利要求2所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：步骤b的混合液中，Ti₃C₂T_x占 Ti₃C₂T_x与P（VDF-TrFE）总质量的8-12%。

8.如权利要求2所述的mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺，其特征在于：步骤c中，将混合液浇铸在玻璃基板上，并在60-80℃下干燥制备薄膜，将薄膜从玻璃基板上剥离。