[发明专利]一种电容自放电线路

权利要求书

1.一种电容自放电线路，其主要包括：电容充电正极线(1)；电容充电负极线(2)；低电阻(3)；MOS管(4)；MOS管源极(5)；MOS管漏极(6)；MOS管栅极(7)；放电电阻(8)；高电阻(9)；电容正极接线端(10)；电容负极接线端(11)；电容(12)；二极管(13)，其特征在于：电容充电正极线(1)接电容正极接线端(10)，电容充电负极线(2)通过二极管(13)接电容负极接线端(11)，接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源通过二极管(13)能对电容(12)充电，MOS管栅极(7)通过低电阻(3)接电容充电负极线(2)，MOS管栅极(7)通过高电阻(9)接电容正极接线端(10)，高电阻(9)的电阻比低电阻(3)的电阻大，MOS管漏极(6)通过放电电阻(8)接电容正极接线端(10)，MOS管源极(5)接电容负极接线端(11)，当接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源对电容(12)充电时，因为高电阻(9)的电阻比低电阻(3)的电阻大，MOS管栅极(7)相当于接电容充电负极线(2)，MOS管(4)的MOS管漏极(6)与MOS管源极(5)不导通，既给电容(12)充电时候，放电电阻(8)上没有电流通过不消耗能量，不产生热量，当接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源断开时，电容(12)对外放电，电容正极接线端(10)上的电流通过高电阻(9)流向MOS管栅极(7)，由于二极管(13)的反向截止功能，MOS管栅极(7)上电流不能通过电容充电负极线(2)流向电容负极接线端(11)，此时MOS管(4)的MOS管漏极(6)与MOS管源极(5)导通，放电电阻(8)上有电流通过，同时电容(12)放电时候不会影响到电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的其他负载，电容(12)上储存的电能在放电电阻(8)上消耗掉，为下次充电做准备，由于MOS管触发电压很小，所以高电阻(9)上的电阻阻值能达到很大，在电容(12)充放电过程中，高电阻(9)所消耗的电能极其微小，发热很小，整个电路接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源通电时候放电电阻(8)上没有电流通过，接在电容充电正极线(1)与电容充电负极线(2)上的电源断开时候放电电阻(8)上有电容(12)放电的电流通过，电容(12)放电时间由电容(12)上的电容量与放电电阻(8)的阻值有关，采用MOS管比采用三极管的电路安全工作区域宽、受温度及辐射影响小。

2.根据权利要求1所述的一种电容自放电线路，其特征在于：MOS管漏极(6)通过放电电阻(8)接电容正极接线端(10)或MOS管源极(5)通过放电电阻(8)接电容负极接线端(11)。

3.根据权利要求1所述的一种电容自放电线路，其特征在于：MOS管采用PMOS管时，MOS管源极接电容正极接线端(10)，MOS管漏极接电容负极接线端(11)。

4.根据权利要求1所述的一种电容自放电线路，其特征在于：MOS管(4)换成晶闸管能起到相同作用。

5.根据权利要求1所述的一种电容自放电线路，其特征在于：电容充电正极线(1)；电容充电负极线(2)；低电阻(3)；MOS管(4)；MOS管源极(5)；MOS管漏极(6)；MOS管栅极(7)；放电电阻(8)；高电阻(9)；电容正极接线端(10)；电容负极接线端(11)；电容(12)；二极管(13)集成在一起构成自放电电容。

6.根据权利要求1所述的一种电容自放电线路，其特征在于：低电阻(3)阻值在零欧姆到一千万兆欧姆之间。