[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110185533.1 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113053853A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L29/423;H01L21/28;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
金属栅极结构，具有设置在所述金属栅极结构的侧壁上的侧壁间隔件，其中，所述金属栅极结构的顶面相对于所述侧壁间隔件的顶面凹进；
金属覆盖层，设置在所述金属栅极结构的上方并与金属栅极结构接触，其中，所述金属覆盖层的底部的第一宽度大于金属覆盖层的顶部的第二宽度；以及
介电材料，设置在所述金属覆盖层的任一侧上，其中，所述侧壁间隔件和所述金属栅极结构的部分设置在所述介电材料的下方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
层间介电(ILD)层，设置为与所述金属栅极结构相邻，其中，所述层间介电层的第一侧面与侧壁间隔件的第二侧面接触，所述侧壁间隔件沿着所述金属栅极结构的侧壁设置。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述金属栅极结构的顶面和所述侧壁间隔件的顶面都相对于所述层间介电层的顶面凹进。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述金属覆盖层、所述介电材料以及所述层间介电层的顶面基本上彼此齐平。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属覆盖层的侧壁没有粘合层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属覆盖层限定金属栅极通孔。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属覆盖层具有锥形轮廓。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：粘合层，介于所述金属覆盖层和所述金属栅极结构之间。
9.一种半导体器件，包括：
金属栅极结构，具有顶部和底部，其中，所述金属栅极结构的顶部具有锥形轮廓，其中，所述锥形轮廓的底面的宽度大于所述锥形轮廓的顶面的宽度，并且其中所述锥形轮廓的底面的宽度小于所述金属栅极结构的底部的顶面的宽度；以及
侧壁间隔件，设置在所述金属栅极结构的侧壁上，其中，所述侧壁间隔件与所述金属栅极结构的底部接触，其中，所述侧壁间隔件通过介电材料与所述金属栅极结构的顶部分离，并且其中，所述金属栅极结构的底部的部分设置在所述介电材料的下方。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供包括金属栅极结构的衬底，所述金属栅极结构具有设置在所述金属栅极结构的侧壁上的侧壁间隔件；
对所述金属栅极结构和所述侧壁间隔件进行回蚀刻，其中，在所述回蚀刻后，所述金属栅极结构的顶面相对于所述侧壁间隔件的顶面凹进；
在被回蚀刻的金属栅极结构和被回蚀刻的侧壁间隔件的上方沉积金属覆盖层；以及
通过去除所述金属覆盖层的部分来使所述金属覆盖层图案化，以暴露所述被回蚀刻的侧壁间隔件和至少所述被回蚀刻的金属栅极结构的部分；
其中，所述图案化的金属覆盖层提供金属栅极通孔，并且其中，所述图案化的金属覆盖层的底部的第一宽度大于所述图案化的金属覆盖层的顶部的第二宽度。
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